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新的失效保護(hù)方法

作者: 時(shí)間:2009-06-18 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  解決方案

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/95416.htm

  該解決方案是實(shí)現(xiàn)一個(gè)能夠仿真的I2-t特性的智能電路保護(hù)算法。這個(gè)概念可轉(zhuǎn)化為“曲線下面積”。在下圖(圖 7)中,曲線下面積(A區(qū))是保護(hù)算法的I2-t界限內(nèi)。B區(qū)所示是在一段時(shí)間內(nèi)的恒定超負(fù)載條件,其中,超負(fù)載電流小于智能開(kāi)關(guān)的限流值。在這個(gè)圖中,當(dāng)限流值超過(guò)曲線時(shí),智能開(kāi)關(guān)不會(huì)被閉鎖。當(dāng)B區(qū)突破A區(qū)時(shí),器件閉鎖。 這個(gè)原則適用于超負(fù)載在開(kāi)關(guān)激活后存在很長(zhǎng)時(shí)間的狀況。

  圖7:超負(fù)載與功率限制區(qū)比較



關(guān)鍵詞: ST BCM 熔斷器

評(píng)論


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