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卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品

作者: 時間:2008-07-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  (Innova-Semi)推出P型集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強型場效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻,并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝,同時具有極佳的反向漏電特性。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/86117.htm

  該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在,DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個器件在正向?qū)〞r具有很低的正向壓降,不僅滿足使用USB接口進(jìn)行充電的要求,同時具有極低的功率耗散,提升整個系統(tǒng)的能效。

  這兩款產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于手機充電線路部分,主要適用于基于MTK平臺、ADI平臺、Spreadtrum平臺以及部分TI平臺和Infineon平臺的方案中。其基本電路如圖所示: 


  器件通過控制柵極電壓來控制充電電流,肖特基二極管可防止電流倒灌。RCRH010FA采用DFN3×2封裝(3.0×2.0×0.8mm),RCRH0003FB采用DFN2×2封裝(2.0×2.0×0.55mm),相比同類產(chǎn)品,具有以下優(yōu)勢:

  ·采用了更薄的封裝,適用于超薄機型設(shè)計;

  ·在器件腹部增加了散熱片,大幅提升器件額定功耗和散熱能力,防止PCB熱損傷,提升整機安全性。

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