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MOS模擬集成電路

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作者: 時(shí)間:2007-12-29 來(lái)源:電子元器件網(wǎng) 收藏
  MOSFETBJT相比,具有許多突出的優(yōu)點(diǎn):MOSFET是電壓控制器件,輸入偏流很?。?/SPAN>10-12A以下),輸入電阻高(1012Ω以上);MOSFET功耗小,集成度高,抗輻射能力強(qiáng);MOS工藝簡(jiǎn)單,便于大規(guī)模集成。因此,自70年代以來(lái),MOS得到了迅速發(fā)展,各種功能的集成電路不斷涌現(xiàn),其性能不斷提高。由MOSFET構(gòu)成的,如運(yùn)放、電壓比較器、模擬開(kāi)關(guān)、定時(shí)器、開(kāi)關(guān)電容電路、乘法器、鎖相環(huán)路、頻率合成器、A/DD/A轉(zhuǎn)換器、脈沖調(diào)制編碼/解碼器等已廣泛應(yīng)用于電子技術(shù)各個(gè)領(lǐng)域。尤其是采用MOS工藝可以使模擬信號(hào)處理技術(shù)與數(shù)字處理及計(jì)算機(jī)技術(shù)有機(jī)結(jié)合起來(lái),融為一體,構(gòu)成模擬信號(hào)數(shù)字化的單片集成系統(tǒng),促進(jìn)了通訊、圖像、聲音、雷達(dá)信號(hào)處理及其它技術(shù)領(lǐng)域的發(fā)展。

關(guān)鍵詞: 模擬集成電路 模擬IC

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