國(guó)際整流器公司(IR)推出了汽車(chē)級(jí)PQFN，利用鋁帶鍵合實(shí)現(xiàn)源極互連。內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖2所示，2條引線(xiàn)帶將各個(gè)晶片連接到5x6mm雙PQFN的源極引線(xiàn)上。帶狀引線(xiàn)鍵合環(huán)高度可控，因此適于1mm厚的封裝，高度比2.3mm厚的DPAK小得多。另一方面，條帶越寬，接觸面和附著力越好，可靠性也越高。

　　與傳統(tǒng)的引線(xiàn)鍵合技術(shù)相比，帶狀鍵合具有幾條大口徑鋁線(xiàn)鍵合的電流處理能力，但仍能保持金球鍵合高度小的特性。因此，能夠?qū)o(wú)晶片封裝電阻(DFPR)降低0.7 m?之多，如圖3所示。這表示，3m? MOSFET的總R_DS(ON)改善了20%以上。換句話(huà)說(shuō)，帶狀鍵合技術(shù)可以保持低成本和制造靈活性，還能實(shí)現(xiàn)銅片的基準(zhǔn)性能。

　　總之，帶狀鍵合PQFN的所有優(yōu)勢(shì)可概況如1。


   　4 在延長(zhǎng)引線(xiàn)上鍍錫以形成可檢焊點(diǎn)

　　對(duì)于汽車(chē)工藝與制造工程師而言，電源封裝選擇方面的一個(gè)重要要求就是自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)能力。這樣，在PQFN封裝被焊接到PCB上時(shí)，用戶(hù)的系統(tǒng)就能夠識(shí)別可見(jiàn)焊點(diǎn)。IR PQFN設(shè)計(jì)有延長(zhǎng)引線(xiàn)—引線(xiàn)頭伸出封裝主體外0.15 mm—因此其可焊性比鋸齒狀PQFN封裝更好。

　　此外，如圖3左側(cè)所示，封裝底面全都鍍有霧錫，通過(guò)在裝配過(guò)程中引入一個(gè)額外的步驟，至少一半的引線(xiàn)頭也鍍有錫，從而確保形成好的焊接圓角。這樣就能夠形成可檢焊點(diǎn)(ISJ)?；亓骱钢螅附訄A角可以在PCB上看出，如圖3右側(cè)所示。這些可以利用傳統(tǒng)的光學(xué)檢測(cè)系統(tǒng)檢查，無(wú)需價(jià)格高昂的X光檢查步驟。請(qǐng)注意，焊接圓角的尺寸和形狀取決于回流曲線(xiàn)、焊膏、模板開(kāi)口、PCB板布局等。

　　5 重要的產(chǎn)品組合與應(yīng)用

　　結(jié)合公司的新型基準(zhǔn)R_DS(ON) 40V汽車(chē)COOLiRFET硅片技術(shù)，國(guó)際整流器公司的COOLiRFET 5x6mm PQFN平臺(tái)適于各種12V傳統(tǒng)電池應(yīng)用。例如，采用PQFN封裝的新型40V、3.3m?單晶片AUIRFN8403TR非常適于三相電機(jī)控制應(yīng)用，例如轉(zhuǎn)向、燃料泵和水泵。

　　同時(shí)，PQFN封裝的雙晶片版本非常適于H橋應(yīng)用，例如車(chē)窗升降機(jī)。與需要4個(gè)器件才能形成H橋的DPAK封裝相比，雙晶片PQFN僅需2個(gè)器件即可完成工作，因而比DPAK解決方案更節(jié)約成本和空間。40V、5.9m?/通道、雙晶片PQFNAUIRFN8459TR代表著汽車(chē)行業(yè)的基準(zhǔn)R_DS(ON)性能。

　　5 結(jié)論

　　更高的電源密度是任何新型汽車(chē)電源產(chǎn)品都想擁有的特性。結(jié)合其鋁帶鍵合5mmx6mm PQFN封裝，國(guó)際整流器公司的COOLiRFET^TM硅片技術(shù)大大提高了汽車(chē)級(jí)封裝的電源密度。該封裝將幫助MOSFET開(kāi)拓者大幅提高總系統(tǒng)電源密度。