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領先全球 SanDisk和東芝公布15nm閃存芯片

作者: 時間:2014-04-24 來源:威鋒網(wǎng) 收藏
編者按:SanDisk和東芝開創(chuàng) NAND 閃存里程碑,15nm NAND 閃存芯片制造工藝基本上是世界上最先進的工藝,勢必造成重大影響。

  半導體有多種類型,又有不同容量、速度和作用,但最廣泛使用最常見的是 NAND 閃存(Flash),因此針對此類芯片的任何一次進步都有可能影響到各個行業(yè)。威鋒網(wǎng) 4 月 24 日消息 日前, 和東芝宣布,已經(jīng)完成了迄今為止全球最領先的 15nm NAND 閃存的研發(fā)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/245996.htm

  一般而言,提到半導體器件的制造工藝多數(shù)都會涉及晶片上集成的晶體管之間的連線寬度。更小的連線寬度可以在不增加芯片體積的情況下,集成更多的晶體管,使芯片的功能得到大幅擴展和提升。而且連線寬度越小,晶體管的極限工作能力提升幅度越大,意味著先進的制造工藝將帶來更出色的性能,同時能效越高。

  毫無疑問, 和東芝將 NAND 閃存研發(fā)帶到了全新的里程碑,勢必在全球行業(yè)內(nèi)造成重大影響,因為 15nm 的 NAND 閃存芯片制造工藝基本上是世界上最先進的工藝。

  據(jù)介紹,全球第二大 NAND 閃存廠商東芝將通過 15nm 工藝打造 2bpc MLC 128Gb(16GB) 顆粒。得益于更先進的工藝改進了外圍電路,其傳輸速率相比上一代 19nm 的模塊提高了 30%。

  東芝表示,自家的 15nm NAND 閃存模塊將會于四月底在日本三重縣四日市的 Fab 5 廠房開始進行量產(chǎn),針對平板電腦、智能手機和筆記本固態(tài)硬盤的 NAND 模塊將使用 3bpc 的顆粒。同時, 也將使用 15nm 生產(chǎn) 2bpc 和 3bpc 閃存顆粒,具體計劃在今年下半年。

  目前半導體業(yè)務各大廠商都在追求新的工藝,但產(chǎn)能并不足以滿足供給,由于蘋果獲得了臺積電大量 20nm 訂單,Nvidia 和 AMD 的新一代顯卡被迫停留在 28nm 工藝。另外,英特爾以及 GlobalFoundries 和三星合作的最新的 14n 制造工藝也做好了準備,今年年底就能在市面上看到成品,但是良品率依然是這些半導體廠商的痛。



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