然而，實現(xiàn)這種隔離有一些問題，一旦OR-ing二極體插入到電流路徑中，會產(chǎn)生額外的功率損耗并降低效率，產(chǎn)生更多熱源，故須加裝散熱器，導致系統(tǒng)功率密度難以提升。再者，OR-ing須具有軟開關特性，否則當二極體被關斷時，反向恢復會對系統(tǒng)產(chǎn)生影響。

　　為克服OR-ing二極體的問題，一直都是採用蕭特基二極體設計，其與P-N二極體之間的主要差異，就是減小正向電壓降及可忽略的反向恢復。普通硅二極體的壓降介于0.71.7伏特之間；而蕭特基二極體的正向電壓降在0.20.55伏特之間。當以蕭特基二極體做為OR-ing元件使用時，即便具有高洩漏電流，為系統(tǒng)帶來額外的導通損耗，該總體損耗仍會小于硅二極體。

　　另一個解決方案是以功率MOSFET來取代蕭特基二極體，但須引進額外的MOSFET閘極驅(qū)動器，增加系統(tǒng)復雜性。由于MOSFET的Rds（on）要求很小，因而兩端電壓降會比蕭特基二極體的正向電壓低很多，可稱之為新一代主動OR-ing二極體設計。

　　現(xiàn)階段低壓MOSFET的Rds（on）已做到很低；即便採用TO-220或D2封裝，也可以低至幾毫歐姆。舉例來說，快捷的FDS7650採用PQFN56封裝，對于30伏特MOSFET而言，可達到小于1毫歐姆，當OR-ing MOSFET導通時，還可讓電流以任一方向流動。至于在失效情況下，冗余電源提供大電流，因而OR-ing MOSFET須快速關斷，快捷的PowerTrench MOSFET也可解決此種狀況。