驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(五)——驅(qū)動(dòng)器的自舉電源穩(wěn)態(tài)設(shè)計(jì)
驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn),涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù),實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重要的功能,本系列文章講詳細(xì)講解如何正確理解和應(yīng)用這些功能。
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202503/468089.htm自舉電路在電平位移驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)用很廣泛,電路非常簡(jiǎn)單,成本低,而且有很多實(shí)際案例可以抄作業(yè)。不過(guò),由于系統(tǒng)往往存在特殊或極端工況,如設(shè)計(jì)不當(dāng)調(diào)制頻率或占空比不足以刷新自舉電容器上電荷,電容上的電壓不夠,低于低電壓關(guān)閉值UVLO,這時(shí)候就出現(xiàn)了系統(tǒng)故障,嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞系統(tǒng)。上一篇《驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)(四)---驅(qū)動(dòng)器的自舉電源綜述》(http://m.ptau.cn/article/202503/467756.htm)是基于書(shū)本知識(shí)的綜述,已經(jīng)提到這些問(wèn)題,接下來(lái)會(huì)參考英飛凌的數(shù)據(jù)手冊(cè)和應(yīng)用指南進(jìn)行深入討論。本文為了簡(jiǎn)化問(wèn)題,分析固定占空比下,即針對(duì)一個(gè)PWM周期內(nèi)的設(shè)計(jì)。
自舉電路原理
圖1中為柵極驅(qū)動(dòng)器的高壓側(cè)提供非隔離電源的方式是自舉拓?fù)?,其由?jiǎn)單的一個(gè)自舉二極管和一個(gè)自舉電容器組成。當(dāng)下橋IGBT導(dǎo)通時(shí)給自舉電容充電到VBS,而在下橋關(guān)斷上橋工作時(shí)這個(gè)電容給上橋提供電源。電容在上下橋交互開(kāi)關(guān)的過(guò)程中實(shí)現(xiàn)充放電。在實(shí)際驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品中,有時(shí)電平位移驅(qū)動(dòng)電路已經(jīng)把二極管集成在IC中,只要外接一個(gè)電容即可。
圖1. 自舉電路
這種自舉電路具有簡(jiǎn)單、成本低的優(yōu)點(diǎn)。電路設(shè)計(jì)目標(biāo)是輸出電壓穩(wěn)定,如果自舉電容上的電壓不夠,低于低電壓關(guān)閉值UVLO,這時(shí)候就出現(xiàn)了系統(tǒng)故障,嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞系統(tǒng)。
自舉電容器(VBS)的最大電壓取決于圖1所示的自舉電路的幾個(gè)元器件:
■ 電阻RBOOT上的壓降;
■ 自舉二極管的VF、低邊側(cè)開(kāi)關(guān)上的壓降(VCEON或VFP,取決于流經(jīng)開(kāi)關(guān)的電流方向);
■ 以及低邊側(cè)開(kāi)關(guān)發(fā)射極和直流母線之間的分流取樣電阻(圖1中未顯示)上的壓降(如果存在)。
自舉電路分析
在研究半橋拓?fù)渲惺褂玫淖耘e電路元器件取值大小細(xì)節(jié)之前,需要了解一些基礎(chǔ)知識(shí),為此我們引入簡(jiǎn)化等效電路有助于分析加深理解(見(jiàn)圖2)。電容Cboot左邊是補(bǔ)充電荷的電路,而右邊部分是會(huì)消耗掉電荷的電路。
圖2. 自舉電路的等效電路
自舉等效電路(如圖2所示)簡(jiǎn)化了VBS特性作為調(diào)制開(kāi)關(guān)S1開(kāi)關(guān)狀態(tài)函數(shù)的計(jì)算,也簡(jiǎn)化其與占空比D、柵極電荷QG、漏電流Ileak以及自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot的計(jì)算。
VBS: 自舉電容器Cboot上的電壓
VBSMAX: 代表電源電壓(圖1中的VCC)加上或減去自舉電路的靜態(tài)電壓降
D=占空比=T(ON)/T
"穩(wěn)態(tài)"過(guò)程計(jì)算:即一個(gè)PWM周期內(nèi)的VBS行為
在本文討論中,開(kāi)關(guān)S1的占空比假定為已達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),并將保持恒定。后續(xù)的文章章節(jié)再進(jìn)一步討論空間矢量調(diào)制下,占空比隨時(shí)間變化時(shí)要考慮的一些因素。
自舉電容器Cboot上產(chǎn)生的電壓VBS一般由兩個(gè)部分組成(如圖2所示)。第一個(gè)是理想開(kāi)關(guān)(也是半橋電路中的下橋臂)(S1)接通(TON)期間自舉電阻上產(chǎn)生的壓降。第二個(gè)是疊加紋波,是系統(tǒng)開(kāi)關(guān)特性的特征。
交流紋波的大小主要由自舉電容器的容量決定,可以在S1關(guān)斷(TOFF)時(shí)計(jì)算。
在下面討論的其余部分,VBSMAX被定義為VBS的可能的最大值,圖2中的電壓源就取最大值VBSMAX。
自舉電阻
驅(qū)動(dòng)電源是否足夠大用電荷來(lái)描述比功率更直接,因?yàn)樨?fù)載是MOS型器件的柵極電荷,在開(kāi)關(guān)期間 (TS)電源(VBSMAX)向電路提供的總電荷量QTOT如下公式所示。
這里變量QG*被定義為功率器件柵極QG和柵極驅(qū)動(dòng)器電平位移QLS所需的總電荷量,而Ileak是指向柵極驅(qū)動(dòng)器高壓側(cè)電路提供的直流電流High-side floating well offset supply leakage。
比如2ED2198S06F的QLS=1nC,而一個(gè)10A 600V的IGBT3 IKA10N60T大約為62nC,實(shí)際計(jì)算中可以忽略。
而其Ileak=12.5uA,如果Ts=0.1ms的話,Ileak*TS=1.25nC,也是一個(gè)非常小的量。(文末的案例Ileak高達(dá)200uA,可能就不應(yīng)該忽略)
S1由PWM波形驅(qū)動(dòng),且僅在TON時(shí)間內(nèi)通過(guò)自舉電阻提供電荷,則流經(jīng)自舉電阻的平均電流按如下公式計(jì)算。
其中:
所以RBOOT兩端的平均壓降由下列公式確定:
如果電平位移的驅(qū)動(dòng)器的QLS和Ileak相對(duì)于驅(qū)動(dòng)對(duì)象足夠小,那公式可以簡(jiǎn)化為:
在設(shè)計(jì)中,是否可以忽略內(nèi)部電平位移電路所需的電荷和柵極驅(qū)動(dòng)器高壓側(cè)電路提供的直流電流,建議查一下英飛凌的數(shù)據(jù)手冊(cè),或向廠商咨詢。
自舉電容
自舉電容器向高壓側(cè)電路提供的總電荷可通過(guò)下列公式計(jì)算得出:
VBS的紋波振幅為:
上式說(shuō)明自舉電壓的紋波只與總電荷和自舉電容有關(guān),總電荷也要考慮內(nèi)部電平位移電路所需的電荷QLS和在關(guān)斷時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)器高壓側(cè)電路提供的直流電流,可能兩者可以忽略。
自舉電壓的跌落
半橋電路上管用自舉供電,其電壓一定會(huì)低于芯片供電電壓,也低于下管的驅(qū)動(dòng)電壓,這一問(wèn)題值得仔細(xì)研究,最終目的是探討最小占空比問(wèn)題。
VBS的波形如圖所示,圖中對(duì)各種貢獻(xiàn)進(jìn)行了區(qū)分。Vdrop表示VBS從其可達(dá)到的最大(VBSMAX)下降的幅度(VB紋波最低谷的值)。
VBSMAX在實(shí)際系統(tǒng)中也就是驅(qū)動(dòng)芯片供電電壓VCC。
第一種工況:當(dāng)自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot決定的時(shí)間常數(shù)比較大。
圖3:Vdrop波形:條件為占空比小于4倍的自舉電阻和電容的時(shí)間常數(shù)/Ts
如上圖,Vdrop的幅值為:
上面這種工況是占空比比較低,如以下公式那樣實(shí)際充電時(shí)間小于4倍RC常數(shù)。充電不足,電壓跌落較大。使VRboot大于?VBS/2。
第二種工況:當(dāng)占空比很大,充電時(shí)間遠(yuǎn)大于自舉電阻Rboot和自舉電容Cboot決定的時(shí)間。
那么Vdrop=VRboot+?VBS/2不再成立,而變成Vdrop=?VBS,波形見(jiàn)圖4。
這時(shí):
這樣自舉電壓的跌落就比較小,而且可以忽略自舉電阻上的壓降,只與自舉電容決定的紋波有關(guān)。
圖4:Vdrop波形:條件占空比遠(yuǎn)大于4倍的自舉電阻和電容的時(shí)間常數(shù)/Ts
最小占空比
上面的分析是為最小占空比設(shè)計(jì)做鋪墊,現(xiàn)在步入主題:
VBS紋波?VBS僅取決于自舉電容器Cboot,而當(dāng)自舉電容用得比較大,變成第一種工況,VBS也會(huì)有明顯的跌落,這時(shí)的跌落Vdrop取決于自舉電阻Rroot。
我們前面討論電壓跌落與占空比與自舉電路的時(shí)間常數(shù)的關(guān)聯(lián)性,目的是要設(shè)計(jì)自舉電阻滿足最小的占空比。
下式是在忽略?VBS作用時(shí)的最小占空比DMIN,式子中Vdrop是電源可接受的最大壓降。
我們來(lái)看自舉電源仿真案例:
在設(shè)計(jì)中,我們目標(biāo)是自舉電壓,電壓降Vdrop結(jié)果參考圖5。
仿真條件:
當(dāng)QG=40nC,f=1/TS=20kHz,Ileak=200μA,Rboot=220Ω,
且預(yù)充電到VBSMAX=15V。
分別在Cboot=47nF和1uF,占空比為10%和30%。
圖5的模擬結(jié)果中,綠色和黃色曲線表示使用47nF自舉電容器在兩種占空比下的 VBS。紫色和紅色曲線表示使用1μF自舉電容在兩種占空比下的VBS。可以看自舉電壓值得大小受占空比影響,而電壓得紋波受自舉電容大小影響。
圖5:不同自舉電容和占空比條件下的仿真結(jié)果
按照前面的公式:
當(dāng)QG*=40nC,f=20kHz,Ileak=200μA,Rboot=220Ω,如果允許的Vdrop=2V (VBS=VCC-Vdrop=13V)時(shí),算出最小可接受的占空比DMIN=11%。要是占空比只有10%的話,電壓跌落會(huì)超過(guò)預(yù)期。
結(jié)論
1 驅(qū)動(dòng)功率取決于被驅(qū)動(dòng)的功率柵極電荷QG和柵極驅(qū)動(dòng)器電平位移QLS,并且要包括各種漏電流。
2 自舉電路設(shè)計(jì)核心問(wèn)題是自舉電阻Rroot和自舉電容Cboot選取,電阻決定平均電壓,電容影響紋波。
3 自舉電源的電壓會(huì)比驅(qū)動(dòng)電路的供電電源電壓VCC要低,其電壓降取決于自舉電阻的壓降和自舉電容上的紋波。按照可能的最小占空比正確選擇電阻和電容值是關(guān)鍵,以保證上下管的驅(qū)動(dòng)電壓在設(shè)計(jì)值內(nèi)。
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評(píng)論