TrendForce集邦科技釋出2025年科技變革十大趨勢！其中，集邦直指，受到AI需求不斷提升貢獻(xiàn)與需求，科技產(chǎn)業(yè)最上游的半導(dǎo)體技術(shù)及先進(jìn)封裝將出現(xiàn)革新及需求大幅成長，同時(shí)，電子下游的AI服務(wù)器，受惠CSP及品牌客群續(xù)建基礎(chǔ)設(shè)備，2024年全球AI服務(wù)器（含搭載GPU、FPGA、ASIC等）出貨成長可達(dá)42％，2025年在CSP及主權(quán)云等高需求下，AI服務(wù)器出貨年增率可望超過28％，占整體服務(wù)器比例達(dá)15％。

該研調(diào)機(jī)構(gòu)表示，英偉達(dá)Blackwell新平臺(tái)2025年上半年逐步放量后，將帶動(dòng)CoWoS-L需求量超越CoWoS-S，占比有望逾60％。最后則是，CSP積極投入ASIC AI芯片建置，AWS等在2025年對(duì)CoWoS需求量將明顯上升。

集邦強(qiáng)調(diào)，隨英偉達(dá)B300、GB300采用HBM3e 12層，2025年起12層將躋身產(chǎn)業(yè)主流，SK海力士在12層世代采用 Advanced MR-MUF技術(shù)，在每層晶粒堆棧時(shí)添加中溫的Pre-bonding制程，并改良MUF材料，拉長制程時(shí)程以達(dá)成晶粒翹曲控制。

另外，集邦科技表示，進(jìn)入2025年后，臺(tái)積電2nm正式轉(zhuǎn)進(jìn)奈米片晶體管架構(gòu)（Nanosheet），英特爾18A則有望導(dǎo)入帶式場效晶體管（RibbonFET），三星仍致力改善MBCFET 3奈米制程，力拚2025年實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，三方正式轉(zhuǎn)進(jìn)GAAFET架構(gòu)競賽，期盼藉由四面接觸有效控制閘極，為客戶帶來更高效能、更低功耗且單位面積晶體管密度更高的芯片。

AI應(yīng)用造成客制化芯片及封裝面積的需求日益提升，同步推升2025年CoWoS需求。觀察明年CoWoS市場重要發(fā)展態(tài)勢，一是2025年英偉達(dá)對(duì)臺(tái)積電CoWoS需求占比將提升至近60％，并驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電CoWoS月產(chǎn)能于年底接近翻倍，達(dá)7.58萬片。