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ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況

作者:Gianfranco DI MARCO(意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)功率晶體管事業(yè)部市場溝通經(jīng)理) 時間:2023-10-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

ST( ) 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用,將最新一代STPOWER MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如,ST 的第三代MOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻,可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供 功率器件,例如650 V 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用,功率損耗很小。與硅基芯片相比, 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小,重量更輕,開關和導通損耗更低,從而提高能效。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202310/451612.htm

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Gianfranco DI MARCO(汽車和分立器件產(chǎn)品部(ADG)功率晶體管事業(yè)部市場溝通經(jīng)理)

1 面臨的技術挑戰(zhàn)

在制造方面,充分發(fā)揮寬帶隙半導體的潛力面臨接二連三的挑戰(zhàn),其中包括提高晶圓良率,降低缺陷率和成本,以及通過嚴格的測試驗證芯片的長期可靠性。設計人員必須仔細評估寄生參數(shù)和熱特性,同時增加有關SiC 和GaN 的性能細微差別的經(jīng)驗。OEM(原廠)需要魯棒性很高的柵極驅動器和適合高速開關的控制器。為應對這些挑戰(zhàn),我們與客戶和合作伙伴密切合作,完善改進技術,直面實際設計過程中的系統(tǒng)級挑戰(zhàn)。

2 ST的解決方案

ST 深耕SiC 研發(fā)已經(jīng)有25 年的歷史,擁有尖端技術和大批量制造能力。嚴格的質(zhì)量控制成就高度可靠的設備,ST 的市場領先地位是最有力的證明。ST 與汽車和工業(yè)市場的知名企業(yè)合作,為其提供參考設計和應用支持,以簡化SiC 和GaN 解決方案的應用。ST 還與GaN 代工合作伙伴密切合作,加快GaN 器件上市銷售,并確保供貨,同時在公司內(nèi)部推進下一代技術研發(fā)。通過這種雙管齊下的方法,ST 為市場提供高性能功率芯片,加快功率器件向更寬禁帶半導體的轉化。

(本文來源于EEPW 2023年10月期)



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