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燦芯半導體推出xSPI/Hyperbus/Xcella控制器和PHY整體解決方案

作者: 時間:2022-08-05 來源:電子產品世界 收藏

一站式定制芯片及IP供應商——日前宣布推出/TM/TM存儲器(閃存、PSRAM、MRAM 等)的控制器和PHY解決方案,適用于客制化SoC。該解決方案采用了兆易創(chuàng)新、愛普科技、賽普拉斯(英飛凌)、美光、旺宏電子等memory廠商的存儲器進行驗證,可以支持客戶在不同領域更快地開發(fā)性能更優(yōu)異的產品。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202208/437023.htm

 

由JEDEC在2018年7月批準的eXpanded串行外設接口()JESD251標準,定義了一種用于存儲器的高數(shù)據(jù)吞吐量串行接口。它提供高數(shù)據(jù)吞吐量、低引腳數(shù),主要應用于計算、汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IOT)、嵌入式系統(tǒng)和移動系統(tǒng)的主機處理和外圍設備之間。電氣接口可提供高達400MT/s 的原始數(shù)據(jù)吞吐量,主要用于非易失性存儲設備,例如NOR閃存,NAND閃存,大量內存供應商也將其用于PSRAM(偽SRAM)或MRAM(磁性RAM)。它可以基于每比特的更高數(shù)據(jù)速率或更寬的數(shù)據(jù)位寬擴展,來提高整體數(shù)據(jù)吞吐率,達到800MT/s。

 

現(xiàn)在可以為高級存儲器以及傳統(tǒng)Octal SPI、QSPI和SPI器件提供xSPI控制器和 PHY的整體解決方案。我們采用自動流量控制技術來實現(xiàn)整個數(shù)據(jù)通路,最大限度地降低了FIFO/SRAM的使用,縮小了面積。此外,我們還采用了另一種創(chuàng)新架構的反饋采樣技術,以提高沒有DS的數(shù)據(jù)速率,在沒有DS的8D模式下實現(xiàn)最大400MT/s。

此解決方案具有以下特點:

?   支持使用SPI協(xié)議的Flash、PSRAM和MRAM

?   支持單/雙/四/八SDR/DTR (DDR) SPI

?   支持xSPI/TM/TM規(guī)范

?   支持xSPI profile1和profile2 (TM)

?   支持XIP (eXecute-In-Place) 快速啟動

?   支持AXI突發(fā)型INCR/WRAP和固定(單拍)

?   支持AXI數(shù)據(jù)寬度 32/64/128…位

?   支持AXI字節(jié)選通寬度 4/8/16...位

?   支持AXI最大突發(fā)長度256

?   支持AXI 超前(outstanding)命令,可配置的超前(outstanding)能力

?   最多支持4個片選

?   支持3字節(jié)或4字節(jié)地址

?   支持單端或差分時鐘

?   支持帶/不帶DS,不帶DS也能達到最高速率400MT/s

?   三個時鐘域:APB、AXI、xSPI 時鐘

?   xSPI時鐘最大頻率200Mhz

?   全數(shù)字PHY、1x時鐘、小面積、無需過采樣

?   最大數(shù)據(jù)速率400MT/s (DDR, DTR) 或200MT/s (SDR)

?   支持通過APB寄存器接口的任意命令(讀取SFDP、擦除等)

?   可編程讀/寫命令代碼

?   支持2x空周期(2倍延長的空周期)

注:HyperbusTM是賽普拉斯(英飛凌)的商標,TM是美光的商標。

 

“工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車和邊緣AI應用對高吞吐量和低引腳數(shù)的需求不斷增加,xSPI存儲器的出現(xiàn)可以滿足這種要求,” 工程副總裁劉亞東表示,“燦芯半導體將DDR技術擴展到xSPI,采用自動流量控制和反饋采樣技術等創(chuàng)新技術來達到小面積和高速率,可以在客制化SoC中提供xSPI內存控制器的整體解決方案?!?/p>




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