臺積電2nm工藝2023年風(fēng)險試產(chǎn)良率或達90%
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據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電2nm工藝取得重大突破，研發(fā)進度超前，業(yè)界看好其2023年下半年風(fēng)險試產(chǎn)良率就可以達到90%。
本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/202009/418649.htm供應(yīng)鏈透露，有別于3nm和5nm采用鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET），臺積電的2nm工藝改用全新的多橋通道場效電晶體（MBCFET）架構(gòu)。
據(jù)悉，臺積電去年成立了2nm專案研發(fā)團隊，尋找可行路徑進行開發(fā)。
考量成本、設(shè)備相容、技術(shù)成熟及效能表現(xiàn)等多項條件，2nm采以環(huán)繞閘極（GAA）制程為基礎(chǔ)的MBCFET架構(gòu)，解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。
極紫外光（EUV）微顯影技術(shù)的提升，使臺積電研發(fā)多年的納米片（Nano Sheet）堆疊關(guān)鍵技術(shù)更為成熟，良率提升進度較預(yù)期順利。
臺積電此前透露2nm研發(fā)生產(chǎn)將在新竹寶山，規(guī)劃P1到P4四個超大型晶圓廠，占地90多公頃。
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