國(guó)產(chǎn)128層QLC閃存問(wèn)世 武漢基地二期開(kāi)工
4年前的2016年,國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期,不僅量產(chǎn)了64層閃存,今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式啟動(dòng),整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元,約合1697億元。
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/202006/414491.htm在開(kāi)工儀式上,紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái),從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠,實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。
趙偉國(guó)表示,國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開(kāi)工,計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠,總投資240億美元。其中一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破,并建成10萬(wàn)片/月產(chǎn)能,二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月,兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬(wàn)片。
今年4月13日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布,其128層QLC 3D閃存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。
按照長(zhǎng)存的說(shuō)法,這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于,它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND,且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。
目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在不斷提升產(chǎn)能,今年底的目標(biāo)將達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能,這也是整個(gè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地一期工程的目標(biāo)。
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