4年前的2016年，國(guó)家在武漢建設(shè)了國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期，不僅量產(chǎn)了64層閃存，今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來(lái)科技城正式啟動(dòng)，整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元，約合1697億元。

在開(kāi)工儀式上，紫光集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開(kāi)工建設(shè)以來(lái)，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

趙偉國(guó)表示，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開(kāi)工，計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠，總投資240億美元。其中一期主要實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破，并建成10萬(wàn)片/月產(chǎn)能，二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬(wàn)片/月，兩期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后月產(chǎn)能共計(jì)30萬(wàn)片。

今年4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)重磅宣布，其128層QLC 3D閃存（X2-6070）研制成功，并已在多家主控廠商SSD等終端產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

按照長(zhǎng)存的說(shuō)法，這款產(chǎn)品的獨(dú)特之處在于，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格3D NAND，且擁有已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量。

目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在不斷提升產(chǎn)能，今年底的目標(biāo)將達(dá)到10萬(wàn)片晶圓/月的產(chǎn)能，這也是整個(gè)國(guó)家存儲(chǔ)器基地一期工程的目標(biāo)。