格芯^?(GLOBALFOUNDRIES^?)近日宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX^?)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產。格芯正在接洽多家客戶，計劃2020年安排多次生產流片。此次公告是一個重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(IoT)、通用微控制器、汽車、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進工藝節(jié)點的高性價比選擇。

格芯的eMRAM產品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設計人員擴展現(xiàn)有物聯(lián)網和微控制器單元架構，以實現(xiàn)28nm以下技術節(jié)點的功率和密度優(yōu)勢。

格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲器(eNVM)，已通過了5次嚴格的回流焊實測，在-40℃至125℃溫度范圍內具有100,000次使用壽命和10年數(shù)據(jù)保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設計，且還在開發(fā)工藝，預計明年將支持AEC-Q100 1級解決方案。

格芯汽車、工業(yè)和多市場戰(zhàn)略業(yè)務部門高級副總裁和總經理Mike Hogan表示：“我們將繼續(xù)通過功能豐富的可靠解決方案實現(xiàn)差異化FDX平臺，客戶可利用這些解決方案來構建適用于高性能和低功耗應用的創(chuàng)新產品。我們的差異化eMRAM部署在業(yè)界先進的FDX平臺之上，可在易于集成的eMRAM解決方案中實現(xiàn)高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的獨特組合，幫助客戶提供新一代超低功耗MCU和物聯(lián)網應用。”

格芯攜手設計合作伙伴，即日起提供定制設計套件，包括通過芯片驗證的插入式MRAM模塊（4至48MB），以及MRAM內置自檢功能支持。

eMRAM是一種可擴展功能，預計將在FinFET和未來的FDX平臺上推出，作為公司先進eNVM路線圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓1號晶圓廠的先進300mm產品線將為MRAM 22FDX的量產提供支持。