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根據(jù)國外科技媒體《Anandtech》的報導指出，日前美系存儲器大廠美光科技(Micron)正式宣布，將采用第3代10納米級制程(1Znm)來生產(chǎn)新一代DRAM。而首批使用1Znm制程來生產(chǎn)的DRAM將會是16GB的DDR4及LPDDR4X存儲器。對此，市場預估，美光的該項新產(chǎn)品還會在2019年底前，在美光位于中國臺灣臺中的廠區(qū)內(nèi)建立量產(chǎn)產(chǎn)線。

報導指出，美光指出，與第2代10納米級（1ynm）制程相比，美光的第3代10納米級制程(1Znm)DRAM制造技術將使該公司能夠提高其DRAM的位元密度，從而增強性能，并且降低功耗。此外，以第3代10納米級制程所生產(chǎn)新一代DRAM，與同樣為16GB DDR4的產(chǎn)品來比較，功耗較第2代10納米級制程產(chǎn)品低40%。

另外，在16GB LPDDR4X DRAM方面，1Znm制程技術將較1Ynm制程技術的產(chǎn)品節(jié)省高達10%的功率。而且，由于1Znm制程技術提供的位元密度更高，這使得美光可以降低生產(chǎn)成本，未來使得存儲器更加便宜。

報導進一步指出，美光本次并沒有透露其16Gb DDR4 DRAM的傳輸速度為何，但根據(jù)市場預計，美光的新一代1Znm制程DRAM存儲器將會符合JEDEC制定的官方標準規(guī)格。而首批使用美光新一代1Znm制程16GB DDR4存儲器的設備將會是以桌上型電腦、筆記型電腦、工作站的高容量存儲器模組為主。

至于，在行動存儲器方面，根據(jù)美光公布的資料顯示，1Znm制程的16GB LPDDR4X存儲器的傳輸速率最高可達4266 MT/s。此外，除了為高端智能手機提供高達16GB（8×16Gb）LPDDR4X的DRAM模組外，美光還將提供基于UFS規(guī)格的多存儲器模組（uMCP4），其中內(nèi)含NAND Flash和DRAM。而美光針對主流手機的uMCP4系列產(chǎn)品將包括64GB＋3GB至256GB＋8GB（NAND＋DRAM）等規(guī)格。

雖然美光沒有透露其采用1Znm技術的16GB DDR4和LPDDR4X存儲器將會在哪里生產(chǎn)，不過市場分析師推測，美光其在日本廣島的工廠將會采用最新的制造技術開始批量生產(chǎn)，而在此同時，也期待2019年底前在臺灣臺中附近的美光臺灣晶圓廠將開始營運1Znm制程技術的生產(chǎn)線。