眾所周知，三星擁有全球最先進的半導體制造工藝，在工藝方面它與全球最大的芯片代工廠臺積電處于同一水平，三星在該領域起步早、研發(fā)實力強，才打下了如今的霸業(yè)。目前全球內存芯片市場是三星、海力士、美光、東芝、西部數(shù)據(jù)等巨頭稱霸，三星占據(jù)市場最大份額。

勁敵臺積電劍鋒相向多年

2014年三星電子失去蘋果A系列處理器訂單，蘋果A8處理器全部交由臺積電（TSMC）代工；2015年好不容易搶到A9處理器部分訂單，但由于良率和功耗控制不如臺積電，導致2016年的A10處理器又全部由臺積電包圓。由于失去蘋果這個大客戶，導致2014年和2015年晶圓代工營收出現(xiàn)下滑。

為了填補產(chǎn)能，三星電子代工部門積極出擊，搶下高通（Qualcomm）應用處理器和服務器芯片、超微半導體（AMD）的微處理器芯片、英偉達（Nvidia）的圖形處理芯片、安霸（Ambarella）的視覺處理芯片、特斯拉（Tesla）的自駕系統(tǒng)芯片的訂單，得以彌補蘋果跑單的窘境。2016年營收達到44億美元，超過2013年的水平，創(chuàng)下三星電子晶圓代工營收的新紀錄。

在聯(lián)電、格羅方德相繼退出10nm以下制程市場，以及英特爾 2018年陷入產(chǎn)能不足的窘境后，三星被認為是晶圓代工龍頭臺積電近2年的唯一對手，與其一同競爭英偉達、高通等有7nm EUV技術需求的客戶。

2016~2018年三星半導體產(chǎn)值（注：含存儲器）

來源：拓墣產(chǎn)業(yè)研究院

三星是全球半導體產(chǎn)業(yè)的重要風向標，三星電子副會長更曾公開表述，三星半導體事業(yè)部除了已在存儲器市場獨霸一方，系統(tǒng)半導體事業(yè)部(System LSI)及晶圓代工事業(yè)部的成長潛力，將成為三星半導體部門未來數(shù)年的主要成長動能。

3nm工藝提升，上位之意昭然若揭

在5月15日（今日）的三星晶圓代工SFF美國分會上，三星宣布四種FinFET工藝，涵蓋了7nm到4nm，再往后則是3nm GAA工藝了，通過使用全新的晶體管結構可使性能提升35%、功耗降低50%，芯片面積縮小45%。

目前先進半導體制造工藝已經(jīng)進入10nm節(jié)點以下，臺積電去年率先量產(chǎn)7nm工藝，但沒有EUV光刻工藝，三星則選擇了直接進入7nm EUV工藝，進度上要比臺積電落后一年，不過三星現(xiàn)在要加速追趕了。

除了7nm FinFET工藝之外，三星還規(guī)劃了另外三種FinFET工藝——6nm、5nm、4nm，今年將完成6nm工藝的批量生產(chǎn)，并完成4nm工藝的開發(fā)。

目前三星還在開發(fā)3GAE工藝中，不過他們4月份就發(fā)布了3GAE工藝的PDK 1.0工藝設計套件，旨在幫助客戶盡早開始設計工作，提高設計競爭力，同時縮短周轉時間（TAT）。

登峰之意雄心壯志

2019年4月24日，三星電子公布了未來的投資計劃和目標。三星電子的投資計劃，將在未來12年內將投資133萬億韓元（約1200億美元）加強系統(tǒng)LSI和晶圓代工業(yè)務方面的競爭力，擴大非存儲器業(yè)務。其中：73萬億韓元（約660億美元）的國內研發(fā)，60萬億韓元（約540億美元）的生產(chǎn)基礎設施，預計每年平均投資11萬億韓元（約100億美元）。

從三星這一舉動可以看出，三星的目標昭然若揭：保持存儲芯片全球第一的位置的同時，在晶圓代工領域挑落臺積電，在CMOS圖像傳感器領域擊敗索尼，在營收方面維持對英特爾的領先，坐穩(wěn)全球第一大半導體廠商的寶座。

*本文部分數(shù)據(jù)觀點參考引用新聞報刊如下：

[1]《2019全球晶圓代工7nm產(chǎn)值成長200%以上，三星布局對標臺積電》陳彥尹 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院.

[2]《三星目標高遠爭當全球第一存儲芯片晶圓代工CMOS圖像傳感器還有營收》趙元闖 芯思想.

[3]《三星2021年量產(chǎn)3nm工藝 性能提升35%》憲瑞 快科技.