DRAM終迎降價潮 會是國產(chǎn)廠商的利好嗎?
很長一段時間里,由于供貨吃緊、技術(shù)受限、需求增加等,DRAM在過去九個季度中價格持續(xù)上漲。但隨著技術(shù)漸入瓶頸,加之2018年智能手機增長勢頭放緩、PC出貨量不斷下滑、云服務盛行下服務器需求大減等影響,市場中DRAM漸趨供過于求,進而使得DRAM價格持續(xù)下跌。這種情況,對于國產(chǎn)廠商而言究竟意味著什么呢?
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201810/392985.htm
作為目前最常見的系統(tǒng)內(nèi)存,DRAM在眾多電子設備中起著至關(guān)重要的作用。但與普通產(chǎn)品相比,DRAM市場已成為頭部企業(yè)集中的領(lǐng)域,總體來看目前的市場基本被三星、SK海力士、美光所瓜分,這三家壟斷了超過90%的市場份額,其中移動DRAM市場三星更是占有超過80%的份額。因此,對于其他企業(yè)而言,踏入該市場無疑是極其困難的。
過去兩年,隨著高端智能手機持續(xù)受到熱捧,同時大型服務器的需求異常旺盛,間接導致DRAM產(chǎn)量吃緊,形成供不應求的局面,并且大多數(shù)商家也只認同前三家DRAM制造商的技術(shù),故采購也基本集中于頭部。盡管這三家企業(yè)體量龐大,但依然不足以滿足市場中所有的需求,這才造成了供不應求的局面。
也正因此,DRAM價格一路走高,至此已保持了9個季度,也只有近期價格才稍有回落。這是由于目前智能手機的增長放緩,服務器需求在云服務盛行時代已經(jīng)大幅削弱,而PC市場也長期萎靡,這些都導致了DRAM增長勢頭的終結(jié),并讓享受了DRAM上漲紅利近三年之久的三星及海力士都需要采取相關(guān)措施來控制DRAM價格。
據(jù)韓媒Kinews報導,三星原計劃于2018年下半年對DRAM及NAND Flash進行的投資已經(jīng)被拖延至2019年,取而代之的是對現(xiàn)有產(chǎn)線進行的補強投資,期望能夠獲利并維持一定水平。SK海力士也表示在下半年,將會把重點放在NAND Flash新廠的投資建設,DRAM只會有小規(guī)模的補強與轉(zhuǎn)換投資。
除了當前的市場因素外,讓兩家巨頭對DRAM生產(chǎn)放緩的還有技術(shù)方面的原因。目前,DRAM的制程為1y,采用EUV后,將可能推進至1z,但未來的1a將如何實現(xiàn)呢?在沒有有效解決方案的時期,貿(mào)然推進制程,除了能夠在一定程度上賺取口碑外,對于營收來說反而是個弊端,畢竟過于昂貴的器件是沒有多少市場空間的。最穩(wěn)妥的方式則是少量投資,改善良率,且通過目前的技術(shù)成本優(yōu)勢緩慢的收割市場,攫取最大利益。
為了不被這三家頭部企業(yè)所掌控,國內(nèi)的廠商也在不斷的嘗試在該領(lǐng)域中進行突破。目前,國內(nèi)在該領(lǐng)域研究比較深入的企業(yè)有合肥長鑫、福建晉華、紫光國微等,但是這幾家企業(yè)的DRAM技術(shù)或多或少都源自于國外已落后幾代的技術(shù),想要在短時間內(nèi)追上,不太現(xiàn)實。
同時在10月11日,紫光國芯微電子股份有限公司發(fā)布公告稱將轉(zhuǎn)讓公司旗下專注于DRAM存儲器芯片設計研發(fā)的西安紫光國芯半導體有限公司給紫光集團下屬全資子公司北京紫光存儲科技有限公司。理由是,受下游制造代工產(chǎn)能等方面的限制,短期內(nèi)無法達到規(guī)模經(jīng)濟,經(jīng)營壓力加大,資產(chǎn)負債率不斷提高,已影響到其正常持續(xù)經(jīng)營,給上市公司帶來了一定的資金和業(yè)績壓力,其自身后續(xù)的研發(fā)投入也面臨很大困難。雖然這是一次紫光集團內(nèi)部業(yè)務的調(diào)整,但也能夠看出在國內(nèi)當前的市場環(huán)境中,本土集團想要依靠DRAM實現(xiàn)超越還有一段很長的路要走。

近日,業(yè)內(nèi)統(tǒng)計機構(gòu)DRAMeXchange也發(fā)布了一項數(shù)據(jù)統(tǒng)計,其中預計2019年DRAM平均價格將同比下降15%至20%,這也是為何三星及海力士不愿繼續(xù)投資的重要原因之一。這對國內(nèi)廠商來說更是雪上加霜,在錯過了DRAM上漲的紅利期之后,接下來的處境將更加困難,同時很大可能將面臨三星及海力士等企業(yè)的降維打擊,并在新一輪價格周期中淪入被動局面。
而在DRAM之外,三星及海力士對于新興存儲器技術(shù)的研究已經(jīng)來到了10ns的目標區(qū),而且不需要更新電流,功耗也大有改善。同時,這些技術(shù)可以使用3D堆疊,因此可直接采用現(xiàn)有的技術(shù)進行研制,在成本上能夠進一步的降低。這也是這兩家廠商放緩投資的另一個重要原因之一,若是技術(shù)成熟,將會徹底改變行業(yè)格局。
總之,編者認為,目前DRAM芯片降價的主要因素有以下幾點。其一,是市場需求降低導致生產(chǎn)過剩,造成供過于求;其二,是DRAM進制推進緩慢,只能在如今的技術(shù)之上進行改良,增加了DRAM的產(chǎn)出,進而增加了市場的投放量。對于國內(nèi)廠商而言,在錯過了DRAM上漲的紅利期后,將會迎來漫長的價格回落期,同時由于三星及海力士的投資放緩,這個周期獲取還會更加延長,國內(nèi)廠商的處境在接下來的一年中可能將愈發(fā)困難,要做好虧損擴大的準備。在新興存儲器上,三星及海力士的研究已接近商用,國內(nèi)在這方面的技術(shù)積累薄弱,因此需要倍加重視,以避免DRAM技術(shù)成熟后發(fā)現(xiàn)別人已經(jīng)站在更高的層面了。一言以蔽之,新一輪的DRAM周期已經(jīng)到來,各位務必做好準備。
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