国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 新品快遞 > 意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術

意法半導體和Leti合作開發(fā)硅基氮化鎵功率轉換技術

作者: 時間:2018-09-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)和CEA Tech下屬的研究所Leti今天宣布合作研制硅基氮化鎵(GaN)功率開關器件制造技術。該硅基氮化鎵功率技術將讓能夠滿足高能效、高功率的應用需求,包括混動和電動汽車車載充電器、無線充電和服務器。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201809/392255.htm

  本合作項目的重點是開發(fā)和檢測在200mm晶片上制造的先進的硅基氮化鎵功率二極管和晶體管架構。研究公司IHS認為,該市場將在2019年至2024[1]年有超過20%的復合年增長率。和Leti利用IRT納電子研究所的框架計劃,在Leti的200mm研發(fā)線上開發(fā)工藝技術,預計在2019年完成工程樣品的驗證。同時,意法半導體還將建立一條高品質生產(chǎn)線,包括/ 硅異質外延工序,計劃2020年前在法國圖爾前工序晶圓廠進行首次生產(chǎn)。

  此外,鑒于硅基氮化鎵技術對功率產(chǎn)品的吸引力,Leti和意法半導體正在評測高密度電源模塊所需的先進封裝技術。

  意法半導體汽車與分立器件產(chǎn)品部總裁Marco Monti表示:“在認識到寬帶隙半導體令人難以置信的價值后,意法半導體與CEA-Leti開始合作研發(fā)硅基氮化鎵功率器件制造和封裝技術。ST擁有經(jīng)過市場檢驗的生產(chǎn)可靠的高質量產(chǎn)品的制造能力,此次合作之后,我們將進一步擁有業(yè)界最完整的GaN和SiC產(chǎn)品和功能組合?!?/p>

  Leti首席執(zhí)行官Emmanuel Sabonnadiere表示:“Leti的團隊利用Leti的200mm通用平臺全力支持意法半導體的硅基氮化鎵功率產(chǎn)品的戰(zhàn)略規(guī)劃,并準備將該技術遷移到意法半導體圖爾工廠硅基氮化鎵專用生產(chǎn)線。這個合作開發(fā)項目需要雙方團隊的共同努力,利用IRT納電子研究所的框架計劃來擴大所需的專業(yè)知識,在設備和系統(tǒng)層面從頭開始創(chuàng)新?!?/p>

  編者注:

  相較于采用硅等傳統(tǒng)半導體材料的器件,更高的工作電壓、頻率和溫度是寬帶隙半導體材料GaN制成的器件的固有優(yōu)勢。除功率氮化鎵技術外,意法半導體還在開發(fā)另外兩種寬帶隙技術:碳化硅(SiC)和射頻氮化鎵(GaN)。

  在GaN領域除了與CEA-Leti合作外,意法半導體不久前還宣布了與MACOM合作開發(fā)射頻硅基氮化鎵技術,用于MACOM的各種射頻產(chǎn)品和和意法半導體為非電信市場研制的產(chǎn)品。兩個研發(fā)項目都使用GaN,很容易引起混淆,但是,這兩種研發(fā)項目使用結構不同的方法,應用優(yōu)勢也不同。例如,功率硅基氮化鎵技術適合在200mm晶片上制造,而射頻硅基氮化鎵目前至少更適合在150mm晶片上制造。無論哪種方式,因為開關損耗低,GaN技術都適用于制造更高頻率的產(chǎn)品。

  另一方面,碳化硅器件的工作電壓更高,阻斷電壓超過1700V,雪崩電壓額定值超過1800V,通態(tài)電阻低,使其非常適用于能效和熱性能出色的產(chǎn)品。憑借這些特性,SiC非常適合電動汽車、太陽能逆變器和焊接設備等應用。



關鍵詞: 意法半導體 GaN

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉