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IGBT掃盲文,IGBT基礎(chǔ)與運用知識學(xué)習(xí)

作者: 時間:2018-07-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

  基礎(chǔ)與運用

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201807/382764.htm

  , 中文名字為絕緣柵雙極型晶體管,它是由(輸入級)和PNP晶體管(輸出級)復(fù)合而成的一種器件,既有器件驅(qū)動功率小和開關(guān)速度快 的特點(控制和響應(yīng)),又有雙極型器件飽和壓降低而容量大的特點(功率級較為耐用),頻率特性介于與功率晶體管之間,可正常工作于幾十kHz 頻率范圍內(nèi)。

  理想等效電路與實際等效電路如圖所示:



   的靜態(tài)特性一般用不到,暫時不用考慮,重點考慮動態(tài)特性(開關(guān)特性)。

  動態(tài)特性的簡易過程可從下面的表格和圖形中獲取:



  IGBT的開通過程

  IGBT 在開通過程中,分為幾段時間

  1.與MOSFET類似的開通過程,也是分為三段的充電時間

  2.只是在漏源DS電壓下降過程后期,PNP晶體管由放大區(qū)至飽和過程中增加了一段延遲時間。

  在上面的表格中,定義了了:開通時間Ton,上升時間Tr和Tr.i

  除了這兩個時間以外,還有一個時間為開通延遲時間td.on:td.on=Ton-Tr.i

  IGBT在關(guān)斷過程

  IGBT在關(guān)斷過程中,漏極電流的波形變?yōu)閮啥巍?/p>

  第一段是按照MOS管關(guān)斷的特性的

  第二段是在MOSFET關(guān)斷后,PNP晶體管上存儲的電荷難以迅速釋放,造成漏極電流較長的尾部時間。

  在上面的表格中,定義了了:關(guān)斷時間Toff,下降時間Tf和Tf.i

  除了表格中以外,還定義

  trv為DS端電壓的上升時間和關(guān)斷延遲時間td(off)。

  漏極電流的下降時間Tf由圖中的t(f1)和t(f2)兩段組成,而總的關(guān)斷時間可以稱為toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之和又稱為存儲時間。

  從下面圖中可看出詳細的柵極電流和柵極電壓,CE電流和CE電壓的關(guān)系:



  從另外一張圖中細看MOS管與IGBT管柵極特性可能更有一個清楚的概念:

  開啟過程



  關(guān)斷過程




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關(guān)鍵詞: IGBT MOSFET

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