半導(dǎo)體廠商如何做芯片的出廠測(cè)試呢，這對(duì)芯片來(lái)說(shuō)，是流片后或者上市前的必須環(huán)節(jié)。

　　大公司的每日流水的芯片就有幾萬(wàn)片，測(cè)試的壓力是非常大。當(dāng)芯片被晶圓廠制作出來(lái)后，就會(huì)進(jìn)入WaferTest的階段。這個(gè)階段的測(cè)試可能在晶圓廠內(nèi)進(jìn)行，也可能送往附近的測(cè)試廠商代理執(zhí)行。生產(chǎn)工程師會(huì)使用自動(dòng)測(cè)試儀器(ATE)運(yùn)行芯片設(shè)計(jì)方給出的程序，粗暴的把芯片分成好的/壞的這兩部分，壞的會(huì)直接被舍棄，如果這個(gè)階段壞片過(guò)多，基本會(huì)認(rèn)為是晶圓廠自身的良品率低下。如果良品率低到某一個(gè)數(shù)值之下，晶圓廠需要賠錢(qián)。

　　WT的測(cè)試結(jié)果多用這樣的圖表示：

　　通過(guò)了WaferTest后，晶圓會(huì)被切割。切割后的芯片按照之前的結(jié)果分類。只有好的芯片會(huì)被送去封裝廠封裝。封裝的地點(diǎn)一般就在晶圓廠附近，這是因?yàn)槲捶庋b的芯片無(wú)法長(zhǎng)距離運(yùn)輸。封裝的類型看客戶的需要，有的需要球形BGA，有的需要針腳，總之這一步很簡(jiǎn)單，故障也較少。由于封裝的成功率遠(yuǎn)大于芯片的生產(chǎn)良品率，因此封裝后不會(huì)測(cè)試。

　　封裝之后，芯片會(huì)被送往各大公司的測(cè)試工廠，也叫生產(chǎn)工廠。并且進(jìn)行FinalTest。生產(chǎn)工廠內(nèi)實(shí)際上有十幾個(gè)流程，F(xiàn)inalTest只是第一步。在FinalTest后，還需要分類，刻字，檢查封裝，包裝等步驟。然后就可以出貨到市場(chǎng)。

　　FinalTest是工廠的重點(diǎn)，需要大量的機(jī)械和自動(dòng)化設(shè)備。它的目的是把芯片嚴(yán)格分類。以Intel的處理器來(lái)舉例，在FinalTest中可能出現(xiàn)這些現(xiàn)象：

　　1.雖然通過(guò)了WaferTest，但是芯片仍然是壞的。

　　2.封裝損壞。

　　3.芯片部分損壞。比如CPU有2個(gè)核心損壞，或者GPU損壞，或者顯示接口損壞等

　　4.芯片是好的，沒(méi)有故障

　　這時(shí)，工程師需要和市場(chǎng)部一起決定，該如何將這些芯片分類。打比方說(shuō)，GPU壞了的，可以當(dāng)做無(wú)顯示核心的“賽揚(yáng)”系列處理器。如果CPU壞了2個(gè)的，可以當(dāng)“酷睿i3”系列處理器。芯片工作正常，但是工作頻率不高的，可以當(dāng)“酷睿i5”系列處理器。一點(diǎn)問(wèn)題都沒(méi)有的，可以當(dāng)“酷睿i7”處理器。

　　(上面這段僅是簡(jiǎn)化說(shuō)明“芯片測(cè)試的結(jié)果影響著產(chǎn)品最終的標(biāo)簽”這個(gè)過(guò)程，并不是說(shuō)Intel的芯片量產(chǎn)流水線是上文描述的這樣。實(shí)際上Intel同時(shí)維持著多個(gè)產(chǎn)品流水線，i3和i7的芯片并非同一流水線上產(chǎn)品。)

　　那這里的FinalTest該怎樣做？

　　以處理器舉例，F(xiàn)inalTest可以分成兩個(gè)步驟：1。自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)。2。系統(tǒng)級(jí)別測(cè)試(SLT)。2號(hào)是必要項(xiàng)。1號(hào)一般小公司用不起。

　　ATE的測(cè)試一般需要幾秒，而SLT需要幾個(gè)小時(shí)。ATE的存在大大的減少了芯片測(cè)試時(shí)間。

　　ATE負(fù)責(zé)的項(xiàng)目非常之多，而且有很強(qiáng)的邏輯關(guān)聯(lián)性。測(cè)試必須按順序進(jìn)行，針對(duì)前列的測(cè)試結(jié)果，后列的測(cè)試項(xiàng)目可能會(huì)被跳過(guò)。這些項(xiàng)目的內(nèi)容屬于公司機(jī)密，我僅列幾個(gè)：比如電源檢測(cè)，管腳DC檢測(cè)，測(cè)試邏輯(一般是JTAG)檢測(cè)，burn-in，物理連接PHY檢測(cè)，IP內(nèi)部檢測(cè)(包括Scan，BIST，F(xiàn)unction等)，IP的IO檢測(cè)(比如DDR，SATA，PLL，PCIE，Display等)，輔助功能檢測(cè)(比如熱力學(xué)特性，熔斷等)。

　　這些測(cè)試項(xiàng)都會(huì)給出Pass/Fail，根據(jù)這些Pass/Fail來(lái)分析芯片的體質(zhì)，是測(cè)試工程師的工作。

　　SLT在邏輯上則簡(jiǎn)單一些，把芯片安裝到主板上，配置好內(nèi)存，外設(shè)，啟動(dòng)一個(gè)操作系統(tǒng)，然后用軟件烤機(jī)測(cè)試，記錄結(jié)果并比較。另外還要檢測(cè)BIOS相關(guān)項(xiàng)等。

　　圖為測(cè)試廠房的布置

　　而所有的這些工作，都需要芯片設(shè)計(jì)工程師在流片之前都設(shè)計(jì)好。測(cè)試工作在芯片內(nèi)是由專屬電路負(fù)責(zé)的，這部分電路的搭建由DFT工程師來(lái)做，在流片后，DFT工程師還要生成配套輸入矢量，一般會(huì)生成幾萬(wàn)個(gè)。這些矢量是否能夠正常的檢測(cè)芯片的功能，需要產(chǎn)品開(kāi)發(fā)工程師來(lái)保證。此外還需要測(cè)試工程師，產(chǎn)品工程師，和助手來(lái)一同保證每天能夠完成幾萬(wàn)片芯片的生產(chǎn)任務(wù)不會(huì)因?yàn)闇y(cè)試邏輯bug而延遲。

　　考慮到每一次測(cè)試版本迭代都是幾十萬(wàn)行的代碼，保證代碼不能出錯(cuò)。需要涉及上百人的測(cè)試工程師協(xié)同工作，這還不算流水線技工，因此測(cè)試是費(fèi)時(shí)費(fèi)力的工作。實(shí)際上，很多大公司芯片的測(cè)試成本已經(jīng)接近研發(fā)成本。

1、為什么要進(jìn)行芯片測(cè)試？

　　芯片復(fù)雜度越來(lái)越高，為了保證出廠的芯片沒(méi)有問(wèn)題，需要在出廠前進(jìn)行測(cè)試以確保功能完整性等。而芯片作為一個(gè)大規(guī)模生產(chǎn)的東西，大規(guī)模自動(dòng)化測(cè)試是唯一的解決辦法，靠人工或者說(shuō)benchtest是沒(méi)法完成這樣的任務(wù)的。

2、芯片測(cè)試在什么環(huán)節(jié)進(jìn)行？

　　芯片測(cè)試實(shí)際上是一個(gè)比較大的范疇，一般是從測(cè)試的對(duì)象上分為wafertest和finaltest，對(duì)象分別是尚未進(jìn)行封裝的芯片，和已經(jīng)封裝好的芯片。為啥要分兩段？簡(jiǎn)單的說(shuō)，因?yàn)榉庋b也是有cost的，為了盡可能的節(jié)約成本，可能會(huì)在芯片封裝前，先進(jìn)行一部分的測(cè)試，以排除掉一些壞掉的芯片。而為了保證出廠的芯片都是沒(méi)問(wèn)題的，finaltest也即FT測(cè)試是最后的一道攔截，也是必須的環(huán)節(jié)。

3、怎么樣進(jìn)行芯片測(cè)試？

　　這需要專業(yè)的ATE也即automatictestequipment。以finaltest為例，首先根據(jù)芯片的類型，比如automotive，MixedSignal，memory等不同類型，選擇適合的ATE機(jī)臺(tái)。在此基礎(chǔ)上，根據(jù)芯片的測(cè)試需求，(可能有專門(mén)的testspecification的文檔，或者干脆讓測(cè)試工程師根據(jù)datasheet來(lái)設(shè)計(jì)testspec)，做一個(gè)完整的testplan。在此基礎(chǔ)上，設(shè)計(jì)一個(gè)外圍電路loadboard，一般我們稱之為DIBorPIBorHIB，以連接ATE機(jī)臺(tái)的instrument和芯片本身。同時(shí)，需要進(jìn)行test程序開(kāi)發(fā)，根據(jù)每一個(gè)測(cè)試項(xiàng)，進(jìn)行編程，操控instrument連接到芯片的引腳，給予特定的激勵(lì)條件，然后去捕捉芯片引腳的反應(yīng)，例如給一個(gè)電信號(hào)，可以是特定的電流，電壓，或者是一個(gè)電壓波形，然后捕捉其反應(yīng)。根據(jù)結(jié)果，判定這一個(gè)測(cè)試項(xiàng)是pass或者fail。在一系列的測(cè)試項(xiàng)結(jié)束以后，芯片是好還是不好，就有結(jié)果了。好的芯片會(huì)放到特定的地方，不好的根據(jù)fail的測(cè)試類型分別放到不同的地方。

所以樓主的問(wèn)題里，對(duì)于各種功能的測(cè)試，確實(shí)可能需要一行一行寫(xiě)代碼來(lái)做測(cè)試開(kāi)發(fā)，這也是我日常工作的一大部分。

芯片fail可以是下面幾個(gè)方面：

1.功能fail，某個(gè)功能點(diǎn)點(diǎn)沒(méi)有實(shí)現(xiàn)，這往往是設(shè)計(jì)上導(dǎo)致的，通常是在設(shè)計(jì)階段前仿真來(lái)對(duì)功能進(jìn)行驗(yàn)證來(lái)保證，所以通常設(shè)計(jì)一塊芯片，仿真驗(yàn)證會(huì)占用大約80%的時(shí)間
2.性能fail，某個(gè)性能指標(biāo)要求沒(méi)有過(guò)關(guān)，比如2G的cpu只能跑到1.5G，數(shù)模轉(zhuǎn)換器在要求的轉(zhuǎn)換速度和帶寬的條件下有效位數(shù)enob要達(dá)到12位，卻只有10位，以及l(fā)na的noise figure指標(biāo)不達(dá)標(biāo)等等。這種問(wèn)題通常是由兩方面的問(wèn)題導(dǎo)致的，一個(gè)是前期在設(shè)計(jì)系統(tǒng)時(shí)就沒(méi)做足余量，一個(gè)就是物理實(shí)現(xiàn)版圖太爛。這類問(wèn)題通常是用后仿真來(lái)進(jìn)行驗(yàn)證的。
3.生產(chǎn)導(dǎo)致的fail。這個(gè)問(wèn)題出現(xiàn)的原因就要提到單晶硅的生產(chǎn)了。學(xué)過(guò)半導(dǎo)體物理的都知道單晶硅是規(guī)整的面心立方結(jié)構(gòu)，它有好幾個(gè)晶向，通常我們生長(zhǎng)單晶是是按照111晶向進(jìn)行提拉生長(zhǎng)。但是由于各種外界因素，比如溫度，提拉速度，以及量子力學(xué)的各種隨機(jī)性，導(dǎo)致生長(zhǎng)過(guò)程中會(huì)出現(xiàn)錯(cuò)位，這個(gè)就稱為缺陷。缺陷產(chǎn)生還有一個(gè)原因就是離子注入導(dǎo)致的，即使退火也未能校正過(guò)來(lái)的非規(guī)整結(jié)構(gòu)。這些存在于半導(dǎo)體中的問(wèn)題，會(huì)導(dǎo)致器件的失效，進(jìn)而影響整個(gè)芯片。所以為了在生產(chǎn)后能夠揪出失效或者半失效的芯片，就會(huì)在設(shè)計(jì)時(shí)加入專門(mén)的測(cè)試電路，比如模擬里面的testmux，數(shù)字里面的scan chain（測(cè)邏輯），mbist（測(cè)存儲(chǔ)），boundry scan（測(cè)io及binding），來(lái)保證交付到客戶手上的都是ok的芯片。而那些失效或半失效的產(chǎn)品要么廢棄，要么進(jìn)行閹割后以低端產(chǎn)品賣(mài)出。這個(gè)就叫做dft測(cè)試。通常dft測(cè)試會(huì)按照需求在封裝前或封裝后進(jìn)行測(cè)試，工廠里有專門(mén)的ate測(cè)試機(jī)臺(tái)，用探針來(lái)連接測(cè)試的io進(jìn)行dft測(cè)試。通常dft測(cè)試不會(huì)測(cè)試功能，因?yàn)檫@貨是按時(shí)間收錢(qián)的..測(cè)試用例越簡(jiǎn)潔有效越好。而且用例太復(fù)雜，會(huì)影響出貨速度，比如出100w的貨，一塊芯片測(cè)試一秒，單dft測(cè)試24小時(shí)不停就要11天多。

4、一般的芯片測(cè)試都包含哪些測(cè)試類型？

　　一般來(lái)說(shuō)，包括引腳連通性測(cè)試，漏電流測(cè)試，一些DC(directcurrent)測(cè)試，功能測(cè)試(functionaltest)，Trimtest，根據(jù)芯片類型還會(huì)有一些其他的測(cè)試，例如AD/DA會(huì)有專門(mén)的一些測(cè)試類型。

　　芯片測(cè)試的目的是在找出沒(méi)問(wèn)題的芯片的同時(shí)盡量節(jié)約成本，所以，容易檢測(cè)或者比較普遍的缺陷類型會(huì)先檢測(cè)。一般來(lái)講，首先會(huì)做的是連通性測(cè)試，我們稱之為continuitytest。這是檢查每個(gè)引腳的連通性是否正常。