東芝公司旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布面向快速充電器推出支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的100V N溝道功率MOSFET，以此擴(kuò)大其低電壓N溝道功率MOSFET的產(chǎn)品陣容。“U-MOS VIII-H系列”的兩款新MOSFET分別是“TPH4R10ANL”和“TPH6R30ANL”，產(chǎn)品出貨即日啟動(dòng)。

　　隨著快速充電器的普及和發(fā)展，市場(chǎng)需要更高性能的用于次級(jí)側(cè)整流器的功率MOSFET。這些新的MOSFET利用東芝低電壓溝槽結(jié)構(gòu)工藝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的[1]低導(dǎo)通電阻和高速性能。該結(jié)構(gòu)降低了“RDS(ON) * Qsw”[2]的性能指標(biāo)，改善了開關(guān)應(yīng)用。通過減小輸出電荷，實(shí)現(xiàn)輸出損耗改善，有助于提高裝置效率。而且，對(duì)4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)的支持使控制器IC無緩沖驅(qū)動(dòng)成為可能，有助于降低系統(tǒng)功耗。此外，這些新產(chǎn)品可應(yīng)對(duì)USB 3.0相關(guān)應(yīng)用所需的高輸出和高電壓電源。新的MOSFET適合于一系列應(yīng)用，包括服務(wù)器和通信設(shè)備所需的快速充電器、開關(guān)式電源以及直流-直流轉(zhuǎn)換器等。

　　新MOSFET的主要特性：

　　主要特性

　　·支持4.5V邏輯電平驅(qū)動(dòng)

　　·支持低導(dǎo)通電阻和高速性能的業(yè)界領(lǐng)先[1]產(chǎn)品

　　Notes

　　[1] In the category of products with the same ratings, as of January 11, 2017. Toshiba survey.

　　[2] RDS(ON) ：漏源極導(dǎo)通電阻

　　Qsw：柵極開關(guān)電荷