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大陸今年晶圓廠建廠支出占全球7成

作者: 時間:2017-01-18 來源:集微網(wǎng) 收藏

   17日提出最新報告,強調(diào)臺灣半導體產(chǎn)業(yè)在臺積電領軍下,整體產(chǎn)能全球市場份額將逾20%,明年正式超越日本,成為全球最大制造重心。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201701/343032.htm

  指出大陸積極建置廠產(chǎn)能,去年前段代工設備投資占全球比重已拉升到 19%,廠建廠支出金額達 20 億美元,預期今年相關(guān)投資金額將倍增至 40 億美元,占今年全球晶圓廠蓋廠金額 7 成。

  根據(jù)統(tǒng)計,中大陸2012 年開始,晶圓設備支出金額與建廠投資金額快速成長,占全球設備投資金額比重,自 5 至 7% 一路往上攀升,至去年底止大陸晶圓設備投資金額已占全球比重達 19%。

   表示,今年全球晶圓廠建廠支出金額估較去年下滑 17-18%,但大陸逆勢成長,展現(xiàn)雄心壯志擴充當?shù)鼐A廠規(guī)模,換算今年全球晶圓建廠支出金額中,大陸占比高達 7 成,預期當?shù)亟◤S支出金額將持續(xù)成長至明年。

  大陸展現(xiàn)雄心,逾20座晶圓廠宣布興建,估計2019年全球產(chǎn)能市占率將推升至18~19%,進逼臺灣,值得關(guān)注。

  

 

  SEMI預估今年全球半導體產(chǎn)業(yè)在3D NAND Flash和晶圓代工廠持續(xù)沖擊產(chǎn)能下,將擺脫去年疲弱,恢復強勁成長,預估年產(chǎn)值將超過3,600億元,年增5~7%。

  SEMI仍看好臺灣持續(xù)在全球半導體扮演重要地位,尤其臺積電今年資本支出持續(xù)維持在100億美元高檔,在中科沖刺10nm及7nm產(chǎn)能;聯(lián)電也擴增28nm產(chǎn)能,預料將使臺灣在全球產(chǎn)能占有率明年超過20%,正式超越日本,成為全球半導體制造重心。

  不過大陸也急起直追。SEMI調(diào)查,大陸包括中外資在內(nèi),去年宣布逾20個晶圓廠投資計劃,預料在2018年到2019年密集投產(chǎn),使大陸晶圓廠的產(chǎn)能全球市占率,達到18%~19%,緊隨臺灣和日本之后,名列全球第三位。

  大陸啟動驚人的晶圓廠投資,成為全球半導體設備支出成長最快速的地區(qū),預估2018年全年資本支出將超過100億美元,金額超過臺積電,主力集中于存儲器包括3D NAND Flash及晶圓代工,主要投資廠商包括紫光旗下的長江存儲,和中芯國際、華力微電子,揚子江儲存和兆易創(chuàng)新等,預估2019年光是陸企半導體廠的資本支出,會超越外資企業(yè)在大陸投資,追趕臺灣和日本,成為全球半導體制造龍頭的企圖旺盛。

  SEMI臺灣資深產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理曾瑞榆表示,大陸大舉投入半導體制造,今明兩年逾20個晶圓廠將投入興建,雖然還未能詳細評估各家企業(yè)的具體投資計劃,不過從目前臺面上的投資行動來看,主要鎖定臺積電、中芯國際、聯(lián)芯、長江存儲和華力微電子等晶圓廠。

  SEMI引用顧能預估數(shù)字,看好今年半導體產(chǎn)業(yè)將成長5~7%,有機會達到3641億美元的高標,恢復強勁成長動能,主要受惠于存儲器單價上揚以及整體IC出貨量增加。

  SEMI指出,細分各產(chǎn)品類別的成長動能,其中存儲器成長力道居冠,預估將達到17.8%的成長率,其次為NOS達10%、光學5.8%、ASIC 5.3%、GP Logic 4.1%、模擬3.7%等。



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