国产肉体XXXX裸体137大胆,国产成人久久精品流白浆,国产乱子伦视频在线观看,无码中文字幕免费一区二区三区 国产成人手机在线-午夜国产精品无套-swag国产精品-国产毛片久久国产

新聞中心

EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 設計應用 > SSD前景因延遲和錯誤率蒙上陰影

SSD前景因延遲和錯誤率蒙上陰影

作者: 時間:2016-09-12 來源:網(wǎng)絡 收藏

加州大學和微軟的研究發(fā)現(xiàn),隨著芯片尺寸縮小,NAND Flash記憶體會出現(xiàn)顯著的性能退化。當電路尺寸從今天的25nm縮小到6.5nm,SSD的延遲會增加一倍。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201609/304608.htm

加州大學的研究生Laura Grupp說,他們測試了7家SSD供應商的45種不同類型NAND Flash芯片,這些芯片采用了72nm到25nm的光刻工藝,發(fā)現(xiàn)芯片尺寸縮小伴隨著性能退化和錯誤率增加。TLC (三層存儲單元)NAND的性能最差,之后是MLC(雙層存儲單元)NAND和SLC(單層存儲單元)NAND。研究人員說,由于性能退化,基于MLC NAND的固態(tài)硬盤難以超過4TB,基于TLC NAND的固態(tài)硬盤難以突破16TB,因此固態(tài)硬盤的未來之路可能在2024年到頭。



關鍵詞:

評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉