華虹半導體90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產
全球領先的200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司3月6日宣布公司90納米嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺已成功實現(xiàn)量產,基于該平臺制造的芯片以其尺寸小、功耗低、性能高的特點,具有很強的市場競爭優(yōu)勢。
本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/201604/289404.htm華虹半導體自主研發(fā)的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存(eFlash)工藝平臺,是國內最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術,可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎上,提供了極小面積的低功耗Flash IP;具有極高集成度的基本單元庫,與0.11微米eFlash工藝相比,門密度提升30%以上?;谶@些優(yōu)點,華虹半導體90納米eFlash工藝的芯片面積較0.11微米eFlash工藝平臺,減小30%以上,再加上較低的光罩成本優(yōu)勢,能夠為SIM卡、Ukey、SWP、社???、交通卡等智能卡和安全芯片產品以及MCU產品提供極佳性價比的芯片制造技術解決方案。
華虹半導體嵌入式非易失性存儲器平臺是公司最重要的戰(zhàn)略工藝平臺之一,從0.35微米、0.18微米、0.11微米,到現(xiàn)在的90納米,一路走來,始終保持著業(yè)界領先地位,穩(wěn)定可靠的工藝平臺為多家客戶提供了優(yōu)質產品,受到客戶廣泛認可。同時,公司通過持續(xù)在該技術領域的深耕發(fā)展,已成為智能卡IC生產領域的技術領導者、全球最大的智能卡IC代工者。
華虹半導體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示,華虹半導體是嵌入式非易失性存儲器制造工藝技術方面的專家,能夠在相對更小的芯片上發(fā)揮卓越性能。相信90納米eFlash工藝的成功量產將推動新一代應用的快速發(fā)展。公司將通過進一步縮小Flash基本存儲單元、提升基本單元庫的集成度、并減少光罩層數(shù),持續(xù)追求具有更小芯片和更低成本的解決方案,繼續(xù)成為智能卡及微控制器等多種快速發(fā)展的嵌入式非易失性存儲器應用的首選半導體代工公司。
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