基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設計
加入技術交流群
2．3 壞塊處理技術
NAND型FLASH芯片在出廠時內部會隨機分布有壞塊，壞塊是指一個塊內含有一位或更多位的數據單元無法進行操作，并且在芯片的長期使用過程中不可避免地還會增加新的壞塊。不允許對壞塊進行擦除和編程操作，這樣會導致數據的存儲錯誤。因此在操作FLASH的過程中，需要建立一個壞塊管理列表，將芯片內部的所有壞塊信息寫入列表中，并且在出現新的壞快時能夠及時的更新壞塊管理列表。
FLASH內部的壞塊有兩種，一種是芯片出廠時本身含有的初始壞塊，此類壞塊廠家已經標明，通過讀取芯片每塊第一頁和第二頁的第4 096個字節(jié)來進行判斷，如果均是“FFH”，則認為此塊是有效塊，否則便為壞塊。另一種則是在使用過程中新增加的壞塊，可以通過讀狀態(tài)寄存器來進行判斷。
壞塊管理列表的建立和更新可以使用將其內部地址空間和FLASH內部塊地址一一對應的映射方法，當發(fā)現是壞塊時，只需將列表中對應此塊地址的單元寫入1比特“0”信息即可，而其余的地址單元仍是1比特“1”信息代表有效塊。在對FLASH的每一塊進行操作之前，需要先讀取壞塊管理列表中對應此塊地址單元的信息，如果發(fā)現是壞塊就跳過此塊不進行操作，然后再進行下一塊的判斷，直至找到有效塊時再進行操作。壞塊管理列表的建立和更新分別如圖2、圖3所示。本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/191199.htm
評論