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主動“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸

作者: 時間:2009-06-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

主動“包括一個功率MOSFET和一個集成電路控制器。MOSFET的導(dǎo)通電阻RDS(on)會在其內(nèi)部產(chǎn)生(通過器件的電流的平方與電阻的乘積)。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/188901.htm


如果在肖特基二極管“中實現(xiàn)相等電流,該中的損耗將降低為原來的十分之一。這就說明,一個主動“”方案可以比標(biāo)準(zhǔn)“ORing”二極管方案更小,由于它非常低的功率消耗,就充分降低了對散熱系統(tǒng)的依賴。


然而,主動“ORing”方案確實是一個折中的方案。當(dāng)MOSFET打開的時候,電流的方向不受限制。正是由于這個特點(diǎn),主動“ORing”方案可以非常準(zhǔn)確和非??焖俚貦z測出由于反向電流而產(chǎn)生的故障。一旦檢測到故障,控制器就需要盡可能快地關(guān)閉MOSFET,并依次從冗余總線上隔離輸入故障,阻止反向電流的進(jìn)一步增加。

合適的方案
當(dāng)著手選擇合適的“ORing”方案時,關(guān)鍵的問題是理解特殊應(yīng)用的基本邊界條件,然后選擇哪種類型的“ORing”方案就非常清楚了。但這并非毫無遺漏,還存在一些典型的邊界條件,這些邊界條件如下所示:


● 系統(tǒng)所處的環(huán)境溫度上升到最高溫度,功率方案必須保持可靠工作。


● 系統(tǒng)位于特定不可動建筑物中時。


● 可獲得的散熱手段(風(fēng)扇、散熱片、PCB 面積等)。


● 最壞故障條件(“ORing”方案的響應(yīng)時間和速度非常關(guān)鍵)。


在特殊應(yīng)用環(huán)境中分析典型二極管“ORing”方案與典型主動“ORing”方案的異同是非常有價值的。下面的分析示例是在環(huán)境溫度為70℃,負(fù)載電流為20A情況下的分析過程。


典型二極管功率消耗(PD(diode)):VF×IF=~0.45V×20A=9W。


主動“ORing”方案的功率消耗(PDFET):ID2×RDS(on)=(20A)2×1.5mΩ=0.6W。


此處1.5mΩ是Picor公司PI2121 Cool-ORing器件的典型RDS(on)。


如果器件工作的最大結(jié)點(diǎn)溫度保持在125℃,則需要的散熱條件為
TJ=Tamb+(PD×Rthj-a)
式中:

TJ=器件結(jié)點(diǎn)溫度。
Tamb=系統(tǒng)環(huán)境溫度。
PD=器件功率消耗。
Rthj-a=熱阻(結(jié)點(diǎn)-環(huán)境)。
Rthj-a需要維持二極管的125℃結(jié)點(diǎn)溫度大約是6℃/W。
Rthj-a需要維持MOSFET的125℃結(jié)點(diǎn)溫度大約是92℃/W。


Rthj-a數(shù)值越高,散熱的費(fèi)用與總體擁有成本之間的依賴關(guān)系就越低,這就使“ORing”方案非常吸引人。主動“ORing”方案的好處表明,這是提供最小解決方案的最好辦法,如果不可動建筑的價值非常高。高密度單封裝系統(tǒng)(SiP:System-in-a-Package)產(chǎn)品是解決高密度問題的最好途徑,它所提供的IC-FET優(yōu)化可以增加電子性能的改進(jìn)。使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的分立解決方案具有先天的局限性,如器件、器件之間的PCB空間,以及隱藏在整體密度和電子性能后面的寄生偏移。


必須精確確定MOSFET兩端的電壓和極性,這代表流過整個器件的電流。在故障事件被觸發(fā)之前,反向門限將決定通過MOSFET的反向電流總和,而且控制器的柵極驅(qū)動特征將決定MOSFET的關(guān)斷時間,并因此產(chǎn)生了通過MOSFET的反向峰值電流。門限越低、柵極驅(qū)動越高,則將確保更早地檢測并降低總體反向峰值電流,并且最終降低任何冗余總線電壓降落的可能。

主動“ORing”方案
Picor公司有一個主動“ORing”方案(Cool-ORing系列),包括一個高速“ORing” MOSFET控制器和一個具有低導(dǎo)通電阻的MOSFET,采用高密度強(qiáng)化散熱的LGA(Land-Grid-Array)封裝。這個方案可以達(dá)到低至1.5mΩ的典型導(dǎo)通電阻,可以在整個比較寬的溫度范圍內(nèi)工作,并能夠提供高達(dá)24A的持續(xù)負(fù)載電流。


LGA封裝是非常小的5mm×7mm封裝形式,它提供了強(qiáng)化散熱,并能夠用于低壓、高邊(如圖1所示)主動“ORing”應(yīng)用中。Cool-ORing方案與常規(guī)主動“ORing”方案相比提供了超過50%的空間節(jié)省。

圖1 PI2121典型應(yīng)用:高邊主動“ORing”技術(shù)



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關(guān)鍵詞: ORing 方案 尺寸 功率損耗

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