先談談CV操作模式，現在大部分芯片都是直接取樣輔助線圈上電壓，由于漏感的原因，在MOS關斷后，也就是次級二極管導通瞬間，會產生一個尖峰，影響電壓采樣，為了避開個這個尖峰，大部分廠家都是采用延時采機，也就是在MOS管關斷一段時間后再來采樣線圈電壓。從而避開漏感尖峰。PI是在高壓開關關斷2.5 μs采樣。這種采樣方式其實在以前很多芯片上的過壓保護上也都有應用，比如OB2203和UCC28600，NCP1377上都有這樣的應用，所以可以得到較高精度的過壓保護。

　　還有些廠家是在下取樣電阻上并一個小容量的電容來實現。同時建義大家吸收電路使用恢復時間約只有2us的IN4007再串一個百歐左右的電阻作吸收。可以減小漏感產生的振鈴，從而減小取樣誤差。得到較高采樣精度。次級圈數固定，輔助繞組固定，取樣精度高。比較器內部精度也高，自然可以得到較高的輸出電壓精度。

　　先寫個變壓器的基本公式。Np*Ipk=Ns*Ipks(變壓器次級只有一個繞組Ns),Np,Ipk,Ns,Ipks分別是初級圈數，初級峰值電流，次級圈數，次級峰值電流 .

　　當工作在DCM模式時，輸出電流是次級電流(如圖的三角形)在一個工作周期的平均值，所以Io=(Td/T)*Ipsk/2, 其中 T為工作周期。

　　Np*Ipk=Ns*Ipks

　　所以Ipks=Np*Ipk /Ns,

　　將Ipks=Np*Ipk /Ns代入Io=(Td/T)*Ipsk/2 ，