設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteristics設(shè)置，圖5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics設(shè)置，Body Diode 參數(shù)采用默認(rèn)設(shè)置。

　　首先驗(yàn)證Rg、Vgs、Vds關(guān)系，仿真電路如圖

　　這里電路中加入了一定的電感Lg，仿真電路寄生電感，取值是0.05uH，有沒有什么依據(jù)?我當(dāng)時(shí)是想導(dǎo)線計(jì)算電感的時(shí)候好像是要加上0.05u，就放了個(gè)0.05u。

　　仿真過程是，Rg分別取1歐姆，到10歐姆，到100歐姆。驗(yàn)證Rg取值對(duì)驅(qū)動(dòng)波形Vgs和開關(guān)導(dǎo)通特性Vds影響。結(jié)果如下圖：

　　可以看出，不同Rg阻值對(duì)MOSFET IXFN50N80Q2 的影響。設(shè)計(jì)中，取Rg=10，取Rg=1，擔(dān)心過沖擊穿Vgs，取100，上升沿速度太慢，不滿足高速應(yīng)用。

　　下邊討論MOSFET串聯(lián)問題。仿真電路如圖：仿真電路中兩路驅(qū)動(dòng)，只有Rg參數(shù)不一致，其他均一致。

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