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saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例

作者: 時(shí)間:2011-04-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

設(shè)計(jì)中,根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù),利用提供的Model Architect菜單下Power Tool建立IXFN50N80Q2模型,圖5-1所示 DC Characteristics設(shè)置,圖5-2所示 Capacitance Characteristics設(shè)置,Body Diode 參數(shù)采用默認(rèn)設(shè)置。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/150904.htm

  首先驗(yàn)證Rg、Vgs、Vds關(guān)系,電路如圖

  

  這里電路中加入了一定的電感Lg,電路寄生電感,取值是0.05uH,有沒有什么依據(jù)?我當(dāng)時(shí)是想導(dǎo)線計(jì)算電感的時(shí)候好像是要加上0.05u,就放了個(gè)0.05u。

  仿真過程是,Rg分別取1歐姆,到10歐姆,到100歐姆。驗(yàn)證Rg取值對(duì)波形Vgs和開關(guān)導(dǎo)通特性Vds影響。結(jié)果如下圖:

  

  可以看出,不同Rg阻值對(duì)MOSFET IXFN50N80Q2 的影響。設(shè)計(jì)中,取Rg=10,取Rg=1,擔(dān)心過沖擊穿Vgs,取100,上升沿速度太慢,不滿足高速應(yīng)用。

  下邊討論MOSFET串聯(lián)問題。仿真電路如圖:仿真電路中兩路,只有Rg參數(shù)不一致,其他均一致。

  


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