3 測試用讀寫方式
為了檢測內(nèi)存潛在的問題，除了設(shè)計一些測試用的數(shù)據(jù)，還設(shè)計了一些讀寫方式，和數(shù)據(jù)相結(jié)合來檢測。
3．1 MSCAN
MSAN讀寫方式是按地址遞增順序，首先寫入0，然后仍然按照此順序讀出校驗(yàn)。MSCAN用來檢測內(nèi)存單元。
3．2 MARCH
MARCH讀寫方式的檢測對象是地址譯碼器。如果地址譯碼器有問題，就會產(chǎn)生多重選擇的問題，即同一個地址對應(yīng)多個內(nèi)存單元，或者多個地址對應(yīng)同一個內(nèi)存單元?？梢圆捎萌缦碌淖x寫方式來檢測這種問題。如圖8，首先順序?qū)懭?ldquo;0”，然后順序校驗(yàn)，校驗(yàn)一個數(shù)據(jù)后立即將數(shù)據(jù)改為“1”，然后逆序校驗(yàn)，校驗(yàn)后立即將數(shù)據(jù)改為“0”。

3．3 MASEST
MASEST讀寫方式的檢測對象也是地址譯碼器。不過側(cè)重于地址譯碼器的翻轉(zhuǎn)噪聲。按照圖8中的順序?qū)懭胄袔顢?shù)據(jù)，此順序的目的是讓地址譯碼器譯碼每次輸出都盡可能多的翻轉(zhuǎn)。然后在按此順序校驗(yàn)，校驗(yàn)同時把數(shù)據(jù)翻轉(zhuǎn)。最后順序讀取數(shù)據(jù)校驗(yàn)。
3．4 CMD
CMD讀寫方式檢測內(nèi)存單元間的相互干涉。如圖9，首先寫入棋盤數(shù)據(jù)。然后按照如圖9順序校驗(yàn)。

3．5 ROW／COL組合
ROW／COL組合測試的對象是內(nèi)存控制電路。內(nèi)存單元陣列分為行和列，某一個行地址有效時，對某一個單元進(jìn)行讀／寫組合的操作，由于內(nèi)存單元需要定時刷新，這種操作可能對刷新造成影響。ROW／COL組合讀取方式固定某一行，對一個單元進(jìn)行讀／寫組合操作，驗(yàn)證刷新的影響。然后對同一行的下一列進(jìn)行相同的操作。