液化空氣集團電子氣業(yè)務線近日宣布，其應用于半導體制造的前驅體ZyALD已獲得中國專利局授予的相關專利，從而使中國成為了繼韓國、新加坡、中國臺灣以及部分歐洲國家之后又一獲得該項專利的國家。此外，相關專利的申請工作在其他國家及地區(qū)也預期順利。ZyALD及其它類似分子應用于高介電常數(shù)沉積鍍膜，該工藝目前已在全球范圍內獲得11項專利，另有13項專利正在申請中。

　　ZyALD是上述已獲專利的系列分子中一種重要的鋯前驅體(功能分子)。該分子能夠在半導體制造工藝中，實現(xiàn)高溫條件下原子層沉積方法(ALD)沉積鋯基介電層。ZyALD™于2006年首次引入工業(yè)應用，目前已成為世界范圍內用于生產動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)的主流高介電常數(shù)前驅體，替代了在高溫環(huán)境下無法實現(xiàn)相應功能的傳統(tǒng)分子。ZyALD™也可應用于后道工藝“金屬-絕緣體-金屬”結構(BEOL MIM Structure)以及嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(e-DRAM)中的高介電常數(shù)層。

　　憑借優(yōu)異的物理化學屬性以及較高的揮發(fā)性、熱穩(wěn)定性和沉積速率，ZyALD™已成為簡便易用的替代產品，并且通過拓展制造工藝的工藝平臺，幫助終端用戶實現(xiàn)從傳統(tǒng)化學品到ZyALD™的完美過渡?！?/p>