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由東芝投資普瑞光電制造出8英寸硅襯底的LED

作者: 時(shí)間:2012-05-16 來(lái)源:LED制造 收藏

  雖然和普瑞光電合作僅數(shù)月,他們已經(jīng)對(duì)外公布在8英寸生長(zhǎng)出高品質(zhì)的GaN,所得LED芯片大小為1.1mm。在電壓不超過(guò)3.1V,電流為350mA的情況下該芯片功耗為614mW。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/132482.htm

  合作中,除了提供自己先進(jìn)的硅制造工藝和一些生產(chǎn)技術(shù)的研發(fā)支持外,還對(duì)普瑞光電進(jìn)行了股權(quán)投資,看好普瑞在固態(tài)照明領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力。該項(xiàng)投資將進(jìn)一步促進(jìn)雙方在固態(tài)照明行業(yè)為降低成本所做的努力。



關(guān)鍵詞: 東芝 硅襯底

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