飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗
—— 專為手機、超便攜應用中的電池或負載開關(guān)而設(shè)計
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飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應用的設(shè)計人員提供一款P溝道PowerTrench MOSFET器件，滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關(guān)解決方案的需求。
本文引用地址：http://m.ptau.cn/article/129404.htmFDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的MOSFET，這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸，也非常適合線性模式應用。
特性和優(yōu)勢
FDMA905P:
- 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝，器件高度 – 最大0.8mm
- 確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16m? at VGS = -4.5V, ID = -10A)
- 具有出色的散熱性能(RΘJA = 52 ℃/W)
FDME905PT:
- 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝，器件高度 – 最大0.55mm
- 確保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22m? at VGS = -4.5V, ID = -8A)
- 具有出色的散熱性能(RΘJA = 60 ℃/W)
FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻，滿足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作，適用于手機和超便攜設(shè)備。
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