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飛兆單一P溝道具有小體積和低導通阻抗

—— 專為手機、超便攜應用中的電池或負載開關(guān)而設(shè)計
作者: 時間:2012-02-23 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  半導體公司(Fairchild Semiconductor) 現(xiàn)為手機和其它超便攜應用的設(shè)計人員提供一款P溝道PowerTrench  器件,滿足其對具有出色散熱性能的小尺寸電池或負載開關(guān)解決方案的需求。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/129404.htm

  FDMA905P和FDME905PT是具有低導通阻抗的,這些器件具有出色的散熱性能和小占位尺寸,也非常適合線性模式應用。

  特性和優(yōu)勢

  FDMA905P:

  • 采用2mm x 2mm MicroFET™ 封裝,器件高度 – 最大0.8mm
  • 確保低RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 16m? at VGS = -4.5V, ID = -10A)
  • 具有出色的散熱性能(RΘJA = 52 ℃/W)

  FDME905PT:

  • 采用1.6mm x 1.6mm 薄型MicroFET封裝,器件高度 – 最大0.55mm
  • 確保低 RDS(ON) (MAX RDS(ON) = 22m? at VGS = -4.5V, ID = -8A)
  • 具有出色的散熱性能(RΘJA = 60 ℃/W)

  FDMA905P和FDME905PT不含鹵化物和氧化銻,滿足RoHS標準的要求。兩款器件均可在低電壓下安全運作,適用于手機和超便攜設(shè)備。



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