據(jù)集邦科技 華邦電子(2344)董事長(zhǎng)焦佑鈞表示，序列式閃存(Serial NOR Flash)漸成主流，為產(chǎn)業(yè)近來發(fā)生的變化，明年華邦將持續(xù)布局手機(jī)市場(chǎng)，并持續(xù)以自行開發(fā)的技術(shù)提升制程，降低成本。

　　平行式閃存(Parallel NOR Flash)，為高密度產(chǎn)品，效能佳，價(jià)格較高;序列式屬于低密度產(chǎn)品，效能較差，價(jià)格低;近年來，市場(chǎng)趨勢(shì)出現(xiàn)轉(zhuǎn)變，在封裝制造成本考慮，以及序列式閃存的效能逐漸提升，越來越受到青睞，尤其是中低階的功能性手機(jī)開始采用序列式閃存，帶動(dòng)成長(zhǎng)。

　　華邦電耕耘序列式閃存市場(chǎng)已久，今年開始切入手機(jī)運(yùn)用，明年將持續(xù)拓展手機(jī)市場(chǎng);在DRAM方面，華邦以特殊型DRAM為主，焦佑鈞認(rèn)為DRAM短期間仍比較辛苦。

　　華邦過去曾實(shí)行奇夢(mèng)達(dá)的技術(shù)，當(dāng)時(shí)就發(fā)現(xiàn)每月要為其代工DRAM 1.5萬片是很不劃算的生意，甚至比付權(quán)利金更不利;奇夢(mèng)達(dá)在金融海嘯時(shí)破產(chǎn)并退出市場(chǎng)后，華邦就決定自行開發(fā)技術(shù)，目前為臺(tái)系DRAM廠中唯一一家有自主技術(shù)者，以46奈米DRAM技術(shù)及58奈米Flash制程的產(chǎn)品將在第四季正式送樣，至于下一世代將再切入何種制程則將于近期決定。

　　焦佑鈞表示，公司自行開發(fā)技術(shù)，帶動(dòng)員工士氣更為高昂，預(yù)期Serial NOR Flash取代Parallel NOR Flash的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)持續(xù)，華邦也將關(guān)注客制化DRAM的市場(chǎng)，持續(xù)提升技術(shù)，降低成本，以及創(chuàng)造產(chǎn)品的附加價(jià)值為努力方向，目標(biāo)仍是每季都能維持獲利。