爾必達發(fā)布了2011財年第一季度(2011年4～6月)結算報告。受DRAM價格大幅下滑影響，該公司第一季度仍持續(xù)營業(yè)虧損狀態(tài)。但爾必達指出，即便在困境中還是確保了其領先于競爭對手的技術優(yōu)勢，并指出了其他競爭公司將被甩在后邊的可能性。

　　結算報告顯示，銷售額為同比(YoY)減少45.7%、環(huán)比(QoQ)增加3.9%的957億日元。營業(yè)利潤為虧損38億日元(上年同期為盈利444億日元，上季度為虧損52億日元)，純利潤為虧損79億日元(上年同期為盈利307億日元，上季度為虧損82億日元)。銷售額減少的原因是，DRAM價格下滑超過了預期。東日本大地震導致的對DRAM采購擔憂，曾造成面向大客戶及現(xiàn)貨的價格的一時性上漲，但之后采購憂慮的解除和最終產品需求低迷，致使價格急劇下滑。據爾必達介紹，實際上，截至8月5日，2Gbit產品面向大客戶價格已降至1.59美元，現(xiàn)貨價格降至1.09美元。結果造成當初預期的20～30%環(huán)比bit增長率僅達為15%。關于今后的預測結果，第二季度(2011年7～9月)的環(huán)比bit增長率為10%左右，全財年(2011年4月～2012年3月)的同比bit增長率為40～50%。DRAM市場行情方面，最早將在9月、最遲將在11月觸底反彈。

　　結算報告稱，市場正由個人電腦(PC)用存儲器模塊轉向智能手機、平板終端及“UltraBook”等將DRAM直接安裝在印刷基板上的形態(tài)，擁有技術實力來應對這種需求轉變的DRAM廠商將獲得市場份額，爾必達強調其比其他競爭公司具有優(yōu)勢。具體為，作為可省空間大容量封裝技術，爾必達開發(fā)出了重疊有4塊DRAM芯片的PoP(package on package)、DDP(double density package)及TSV(through Silicon via)等多種封裝技術，而芯片方面，該公司已開發(fā)出3Xnm技術以及采用HKMG(高介電率柵極絕緣膜與金屬柵極電極的組合)的4Xnm技術，采用HKMG的25nm技術也將在2012年開發(fā)完畢，這些技術均為全球首創(chuàng)，而且領先于其他競爭公司。據爾必達介紹，面向這些之后的20nm技術的實現(xiàn)也已經有了眉目。但1Xnm技術還存在不確定因素，比如因每單元的蓄積電子數量減少至數萬個，需要放寬DRAM規(guī)格，還需要考慮采用EUV曝光技術等。