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3DIC芯片堆疊技術(shù)項目又有6成員加入

—— 促進3DIC技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化
作者: 時間:2011-05-04 來源:Sematech 收藏

  包括ASE(AdvancedSemiconductorEngineering),Altera,ADI(AnalogDevices),LSI,以及高通公司在內(nèi)的6家半導(dǎo)體公司現(xiàn)已加入了3DIC啟動項目,該消息是由美國半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟(Sematech)于日前公布。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/119203.htm

  去年Sematech宣布建成了首個300mm規(guī)格3DIC試產(chǎn)產(chǎn)線,該產(chǎn)線建在紐約州立大學(xué)納米科學(xué)與工程學(xué)院下屬的奧爾巴尼納米技術(shù)研究中心(CNSE)內(nèi),而Sematech的3DIC研究則是以該研究中心為核心展開的。在此之前,除了CNSE之外,已經(jīng)有GlobalFoundries,惠普,Hynix,IBM,Intel,三星以及聯(lián)電幾家公司加入了這個研究項目。

  2010年12月份,Sematech聯(lián)合半導(dǎo)體協(xié)會(SIA)以及半導(dǎo)體研究協(xié)會(SRC)一起啟動了一項新的3DIC啟動項目,該項目成立的目的是促進3DIC技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化和對異構(gòu)型3DIC整合技術(shù)進行研究。項目的首要目標(biāo)是確立出一套與3DIC關(guān)鍵技術(shù)如量檢測技術(shù),芯片鍵合技術(shù),微凸焊點(microbumping)等有關(guān)的技術(shù)和規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)。



關(guān)鍵詞: 安森美 芯片堆疊技術(shù)

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