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爾必達推出全球最小尺寸30nm DDR3顆粒

作者: 時間:2010-10-09 來源:賽迪網(wǎng) 收藏

  最近,內(nèi)存顆粒的工藝進步速度非???,最先進的工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進步。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/113320.htm

  今天我們得到最新消息,繼三星之后,也成功開發(fā)出采用工藝的2Gb容量 SDRAM內(nèi)存顆粒,并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀錄。

  據(jù)了解,這種顆粒最高支持-1866頻率,可以在1.35V低電壓下實現(xiàn)1600MHz頻率。同時,其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%,待機電流下降10%。

  聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品,相比40nm產(chǎn)品,每塊晶圓的產(chǎn)出量要增加45%,能夠大大降低生產(chǎn)成本。



關(guān)鍵詞: 爾必達 DDR3 30nm

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