美國(guó)應(yīng)用材料公司今天宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD(流體化學(xué)氣相沉積)系統(tǒng)。這是首創(chuàng)的也是唯一的以高質(zhì)量介電薄膜隔離20納米及以下存儲(chǔ)器和邏輯器件中的高密度晶體管的薄膜沉積技術(shù)。這些隔離區(qū)域可以形成深寬比大于30(是當(dāng)今需求的5倍)和高度復(fù)雜的形貌。Eterna FCVD系統(tǒng)的獨(dú)特工藝能夠以致密且無(wú)碳的介電薄膜從底部填充所有這些區(qū)域，并且其成本僅是綜合旋轉(zhuǎn)方式的一半左右，后者需要更多的設(shè)備和很多額外的工藝步驟。

　　應(yīng)用材料公司副總裁、電介質(zhì)系統(tǒng)組件和化學(xué)機(jī)械拋光事業(yè)部總經(jīng)理比爾.麥克林托克先生表示：“在先進(jìn)芯片設(shè)計(jì)中要填充更小和更深結(jié)構(gòu)的需求對(duì)于現(xiàn)有沉積技術(shù)形成了實(shí)質(zhì)性的壁壘。應(yīng)用材料公司今天通過(guò)推出全新的Eterna FCVD系統(tǒng)打破了這一壁壘，提供了突破性的技術(shù)，使得摩爾定律可以繼續(xù)取得進(jìn)展。應(yīng)用材料公司以Eterna FCVD系統(tǒng)延續(xù)了十年來(lái)在溝槽填充技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，為客戶應(yīng)對(duì)多個(gè)新芯片世代的挑戰(zhàn)提供了獨(dú)特、簡(jiǎn)化和具有成本效益的解決方案。”

　　應(yīng)用材料公司專有的Eterna FCVD工藝形成了一個(gè)可以自由流入任何形狀結(jié)構(gòu)的液體狀薄膜，提供從底部向上的無(wú)空缺填充。Eterna FCVD系統(tǒng)已經(jīng)被安裝在6個(gè)客戶的生產(chǎn)廠內(nèi)，它們被整合在應(yīng)用材料公司的基準(zhǔn)Producer主機(jī)平臺(tái)上，用于DRAM、閃存和邏輯芯片的應(yīng)用。