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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)

作者: 時(shí)間:2010-07-16 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

   Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號(hào)晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動(dòng)器的超聲波成像和噴墨打印機(jī)的噴頭。此外,加入了新興改良式N類與P類雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管,對(duì)于達(dá)到100V的多運(yùn)作電壓,導(dǎo)通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶粒的成本。將于7月27日至28日向全球提供一次免費(fèi)的網(wǎng)絡(luò)講座,探討這些新功能,網(wǎng)絡(luò)講座的議題是“將業(yè)界首款0.35微米100V純廠工藝應(yīng)用于高壓裝置” 。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/110974.htm

  X-FAB首席技術(shù)官Jens Kosch說(shuō):“隨著可再生能源越來(lái)越流行,混合動(dòng)力與電動(dòng)車、光電池與風(fēng)力渦輪機(jī)等都需要安全高效的能源存儲(chǔ)管理方案。當(dāng)客戶使用X-FAB最新的專業(yè)高壓工藝時(shí),便能夠應(yīng)對(duì)這些問(wèn)題,以及用較低的成本應(yīng)對(duì)其他一些潛力巨大的新興設(shè)備。例如我們發(fā)現(xiàn)鋰電池的功率管理解決方案很受關(guān)注,全球的主要汽車制造商都表現(xiàn)出濃厚興趣。通過(guò)X-FAB的最新HV工藝,他們就能實(shí)現(xiàn)更安全、更高性能的電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。”

  各功能的平均成本更低

  X-FAB最新改良型N類與P類DMOS晶體管門氧化物厚度為14納米或40納米,客戶根據(jù)其設(shè)備的要求有5V或12V驅(qū)動(dòng)能力可選,操作電壓為55V、75V和100V。通過(guò)大幅降低導(dǎo)通電阻,將EEPROM功能集成到基線工藝,進(jìn)行修整和程序存儲(chǔ),并使用一個(gè)厚金屬層作為第三個(gè)金屬層,X-FAB已經(jīng)大大降低了各功能的平均成本。此外,新加入的獨(dú)立5V NMOS與PMOS設(shè)備能夠操作于0V至 100V之間的電壓。其他設(shè)備改良包括肖特基(Schottky)二極管、20V與100V高壓電容,以及雙極晶體管。

  供應(yīng)情況

  以上的所有功能與設(shè)備目前已經(jīng)作為X-FAB的0.35微米高壓工藝產(chǎn)品(XH035)的一部分推出。



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