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英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

作者: 時間:2010-06-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導體場效應晶體管()600V 系列。有了600V Cool-MOS 系列器件,諸如PFC(功率因數(shù)校正)級或PWM(脈寬調(diào)制)級等能源轉換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新技術融合了現(xiàn)代超結結構及包括超低單位面積導通電阻(例如采用TO-220封裝,電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補償器件的優(yōu)勢,同時具有更低的電容開關損耗、更簡單的開關特性控制特性和更結實耐用的增強型體二極管。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/109927.htm

  C6系列是推出的第五代金屬氧化物半導體場效應晶體管()。 C3和CoolMOS CP等前代系列產(chǎn)品的基礎上,進一步提高了開關速度并降低了導通電阻。CoolMOS C3是一個應用非常廣泛的產(chǎn)品系列,而CP系列可滿足需要最高開關速度和最低導通電阻的各種專門應用的需求。

  最新推出的600V CoolMOS C6器件,融合了CoolMOS C3和CoolMOS CP兩個產(chǎn)品系列的優(yōu)勢。例如,電源廠商可受益于超結CP系列的優(yōu)勢——包括極低電容損耗和極低單位面積導通電阻等,設計出更高效、更緊湊、更輕更涼的電源產(chǎn)品。與此同時,開關控制性能和抗電路板寄生電感和電容特性性能也得到大幅提升。相對于CP系列的設計而言,CoolMOS C6簡化了PCB系統(tǒng)布局。具體而言,這意味著在CoolMOS C6系列內(nèi),柵極電荷、電壓/電流斜率和內(nèi)部柵極電阻達到了優(yōu)化和諧狀態(tài),即使低至零歐姆的柵極電阻,也不會產(chǎn)生過高的電壓或電流斜率。此外,C6器件具備出色的體二極管硬換流抗受能力,因此可避免使用昂貴的快速體二極管組件。

  英飛凌認為,前代產(chǎn)品CoolMOS C3的易用性和高能效特性,加上更高的輕載效率,將使CoolMOS C6系列成為硬開關應用的基準。另一方面,存儲在輸出電容中的極低電能和出類拔萃的硬換流耐受性,使該器件成為諧振開關產(chǎn)品的理想選擇。

  CoolMOS C6器件可降低設計難度,非常適用于各種高能效應用,例如面向個人電腦、筆記本電腦、上網(wǎng)本或手機、照明(高壓氣體放電燈)產(chǎn)品以及電視機(液晶或等離子電視機)和游戲機等消費電子產(chǎn)品的電源或適配器。英飛凌的新一代功率半導體產(chǎn)品,能夠讓客戶開發(fā)出符合當今能效要求和政府法規(guī)的高度可靠的終端產(chǎn)品。

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關鍵詞: 英飛凌 MOSFET CoolMOS C6

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