富士通微電子公司日前宣布，已經成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續(xù)航時間。

　　富士通表示，將以這項NOR閃存新技術為核心，結合高可靠性、高耐熱性、高性能等技術，應用于汽車電子、工控設備以及消費電子產品中的嵌入式微 控制器產品中。