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富士通開發(fā)NOR型閃存新技術

作者: 時間:2010-03-29 來源:驅動之家 收藏

  微電子公司日前宣布,已經成功開發(fā)出一種新技術,可提高讀取速度,并同時降低工作電流。中,引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素,從而實現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型閃存可將訪問速度提高2.5倍達,訪問時間僅10ns,同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術,便攜音視頻設備將有望改進性能,同時延長電池續(xù)航時間。

本文引用地址:http://m.ptau.cn/article/107410.htm

  表示,將以這項NOR閃存新技術為核心,結合高可靠性、高耐熱性、高性能等技術,應用于汽車電子、工控設備以及消費電子產品中的嵌入式微 控制器產品中。



關鍵詞: 富士通 NOR 閃存

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