日刊工業(yè)新聞報(bào)導(dǎo)，由于擴(kuò)展應(yīng)用范圍及降低成本不易，爾必達(dá)(Elpida)計(jì)劃停止研發(fā)相位變化隨機(jī)存取存儲器 (PRAM)。

　　爾必達(dá)監(jiān)于30納米技術(shù)已是DRAM產(chǎn)品細(xì)微化的技術(shù)極限，遂轉(zhuǎn)而研發(fā)PRAM，甚至已送樣容量為128MB的產(chǎn)品，然爾必達(dá)社長本幸雄認(rèn)為PRAM成本很難降到比Flash低，且應(yīng)用范圍難以擴(kuò)大，故決定停止研發(fā)該產(chǎn)品。日后研發(fā)重心將轉(zhuǎn)至矽穿孔(Through Silicon Via;TSV) 3D IC技術(shù)。

　　爾必達(dá)于2009年內(nèi)已開始量產(chǎn)40納米技術(shù)DRAM產(chǎn)品，緊接著將朝矢量產(chǎn)30納米技術(shù)DRAM產(chǎn)品邁進(jìn)。