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MDD整流二極管的并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用:如何均流與提高耐壓能力?

發(fā)布人:MDD辰達(dá) 時(shí)間:2025-03-17 來源:工程師 發(fā)布文章

電力電子電路設(shè)計(jì),有時(shí)單個(gè)整流二極管的電流承載能力或耐壓能力無法滿足應(yīng)用需求,此時(shí)可以通過并聯(lián)或串聯(lián)方式來增強(qiáng)電流或耐壓能力。然而,并聯(lián)時(shí)需要解決均流問題,串聯(lián)時(shí)要保證均壓,否則會(huì)導(dǎo)致器件提前失效。MDD在本文將探討整流二極管并聯(lián)和串聯(lián)的應(yīng)用場(chǎng)景、挑戰(zhàn)及優(yōu)化方法,幫助工程師設(shè)計(jì)更可靠的整流電路。

1.整流二極管的并聯(lián)應(yīng)用:提升電流能力

(1)并聯(lián)的目的

當(dāng)單個(gè)整流二極管的額定電流不足時(shí),可以通過多顆二極管并聯(lián)來分擔(dān)電流,從而提高整體承載能力。例如,一顆10A的二極管可能無法滿足20A負(fù)載需求,此時(shí)可以使用兩顆10A二極管并聯(lián)來提供20A的能力。

(2)均流問題與解決方案

由于二極管的正向?qū)▔航担╒_F)存在離散性,即使是同型號(hào)的二極管,它們的V_F可能存在0.1V甚至更大的偏差,這會(huì)導(dǎo)致電流分配不均,部分二極管承擔(dān)更多電流,可能因過熱失效,從而影響整個(gè)電路的穩(wěn)定性。

?解決方案:1??選用同批次、特性接近的二極管,減少參數(shù)偏差。

2??增加均流電阻(在每個(gè)二極管串聯(lián)一個(gè)小電阻,通常為0.1Ω~0.5Ω),使電流更加均勻。

3??使用主動(dòng)均流方案,如并聯(lián)MOSFET進(jìn)行動(dòng)態(tài)電流分配,但此方法成本較高。

4??使用肖特基二極管(Schottky Diode):由于其正向壓降(V_F)較低,器件間參數(shù)一致性較好,均流效果較普通PN結(jié)整流二極管更優(yōu)。

(3)適用場(chǎng)景

?大電流整流電路(如高功率電源)

?逆變器、充電樁等需要高電流承載能力的設(shè)備

2.整流二極管的串聯(lián)應(yīng)用:提升耐壓能力

(1)串聯(lián)的目的

當(dāng)單個(gè)整流二極管的耐壓能力不足時(shí),可以通過多顆二極管串聯(lián)來提高整體耐壓能力。例如:

需要1000V耐壓,但單個(gè)二極管耐壓只有500V,則可以兩顆500V的二極管串聯(lián)來達(dá)到1000V。

(2)均壓?jiǎn)栴}與解決方案

由于二極管的反向擊穿電壓(V_R)存在離散性,電壓可能不會(huì)均勻分布在每個(gè)二極管上,這可能導(dǎo)致某些二極管承受過高電壓,提前進(jìn)入雪崩擊穿狀態(tài),進(jìn)而損壞整個(gè)電路。

?解決方案:1??選用相同型號(hào)、相近參數(shù)的二極管,確保擊穿電壓(V_R)一致。

2??在每個(gè)二極管并聯(lián)均壓電阻(通常為100kΩ~1MΩ),使電壓均勻分配。

3??在每個(gè)二極管并聯(lián)電容(通常10nF~100nF),提升高頻響應(yīng)的均壓效果。

(3)適用場(chǎng)景

?高壓整流電路(如高壓電源、微波爐等)

?逆變器、功率變換器中涉及高壓整流的場(chǎng)景

3.并聯(lián)與串聯(lián)應(yīng)用示例

(1)大電流應(yīng)用(如50A整流)

假設(shè)需要一個(gè)50A整流電路,但單個(gè)20A的整流二極管(如MUR2020)不能滿足需求,可以使用3顆MUR2020并聯(lián):

采用0.1Ω均流電阻,確保每顆二極管均分約16.7A,防止某顆二極管因過流失效。

(2)高壓應(yīng)用(如2000V整流)

假設(shè)需要一個(gè)2000V耐壓的整流電路,但單顆1000V二極管(如1N5408)不夠,則可采用2顆1N5408串聯(lián):

并聯(lián)470kΩ均壓電阻,確保每顆二極管承受均等電壓(1000V)。

綜上,

整流二極管的并聯(lián)可以提高電流承載能力,但需要均流措施;串聯(lián)可以提升耐壓能力,但必須解決均壓?jiǎn)栴}。正確設(shè)計(jì)均流電阻或均壓電阻,并結(jié)合合理的器件選擇,可以顯著提高電路的可靠性,延長(zhǎng)器件壽命。

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