眾所周知，碳化硅半導體帶隙寬，用于 MOSFET 中時，開關損耗極低，因此相較于普通的硅器件，可允許更高的開關頻率，被形象地稱之為“狼的速度”，而寬禁帶功率半導體器件測試，尤其是精準、全面、可靠的器件特性表征，對于器件本身的迭代以及各場景的應用都起著關鍵作用。

SiC MOSFET器件高頻開關特性對器件測試系統(tǒng)寄生電感控制、測試帶寬、連接方式等都提出了更高的挑戰(zhàn)。如何駕馭狼的速度，跨越“測不準”、“測不全”、“不可靠”這三座大山，始終是第三代半導體行業(yè)關注的熱點。

同時，與傳統(tǒng)的硅半導體相比，碳化硅半導體能夠在更高的溫度和更高的電壓下工作。SiC 功率半導體具有關鍵的效率特性，能夠降低成本，同時提高多種應用中的系統(tǒng)性能，如電動汽車充電器、太陽能逆變器、電動汽車電機驅(qū)動器等，預計其使用將呈指數(shù)級增長。

從碳化硅整個產(chǎn)業(yè)鏈來看，滿足下游終端客戶需求一方面是靠優(yōu)異的碳化硅芯片性能，但模塊封裝設計及系統(tǒng)應用也尤為重要。作為國內(nèi)碳化硅領域的先行者之一，忱芯科技已經(jīng)研發(fā)出多款全碳化硅MOSFET模塊，SiC MOSFET模塊可以作為電力系統(tǒng)的主開關，更好地發(fā)揮SiC低損耗的特點，相較于SBD模塊其應用范圍更廣且技術壁壘更高。