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浙大聯(lián)合實驗室制備出厚度達100 mm碳化硅單晶
- 近日，浙大杭州科創(chuàng)中心官微發(fā)文稱，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心（簡稱科創(chuàng)中心）先進半導體研究院-乾晶半導體聯(lián)合實驗室（簡稱聯(lián)合實驗室）首次生長出厚度達100 mm的超厚碳化硅單晶。文章指出，為提升碳化硅晶體厚度，聯(lián)合實驗室開展了提拉式物理氣相傳輸（Pulling Physical Vapor Transport, PPVT）法生長超厚碳化硅單晶的研究（圖1a）。 source：先進半導體研究院采用提拉式物理氣相傳輸法，聯(lián)合實驗室成功生長出直徑為6英寸（即150mm）的碳化硅單晶，其厚度
- 關(guān)鍵字： 浙大 碳化硅單晶
浙大：120位博導首獲自主招生權(quán)
- 從2008年起，浙江大學將試行研究生培養(yǎng)機制改革，部分博士生導師可自主招收1名博士研究生。 據(jù)了解，2008年，浙大計劃面向全國招收碩士研究生4000余名、博士研究生1570余名。據(jù)其《導師自主遴選博士生方案》規(guī)定，從2008年春季開始，列入浙大招生目錄的兩院院士、長江特聘教授、國家杰出青年基金獲得者、優(yōu)秀博士論文（含提名獎）指導老師可以自主發(fā)現(xiàn)并經(jīng)過個人鑒定，以自主形式招收1名博士研究生。據(jù)悉，此舉在全國高校尚屬首次。 據(jù)介紹，學生原則上應來自校外，并要求學業(yè)基礎好、科研能力強、有學術(shù)專
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