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Vishay推出最低導(dǎo)通電阻的新款MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、熱增強(qiáng)PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，在便攜電子產(chǎn)品里能夠節(jié)省空間，并提高能源效率。 　　2014年4月29日發(fā)布的Vishay Siliconix這款-30
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電阻  SiA453EDJ  

Vishay車用級電感器可在+180℃高溫下連續(xù)工作

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出可在+180℃高溫下連續(xù)工作的新款車用級IHLP?低外形、大電流電感器---IHLP-2525CZ-8A。新的Vishay?Dale?IHLP-2525CZ-8A的外形尺寸為2525，高度低至3.0mm，感值范圍從0.47μH到22μH?！　〗裉焱瞥龅钠骷ㄟ^AEC-Q200認(rèn)證，頻率高達(dá)1MHz，可在高溫汽車應(yīng)用里當(dāng)作電壓穩(wěn)壓模塊(VRM)和DC/DC轉(zhuǎn)換器的高效能、節(jié)省空間和能源解決方案
  • 關(guān)鍵字： IHLP  電感器  Vishay  

Vishay發(fā)布用于醫(yī)療電子等新系列繞線電阻

  • 器件適合音響和醫(yī)療應(yīng)用，具有12W高功率等級和+350℃的工作溫度。賓夕法尼亞、MALVERN—2014年4...
  • 關(guān)鍵字： Vishay  繞線電阻  音響  

Vishay發(fā)布醫(yī)療電子和高端音響用繞線電阻

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出可用于醫(yī)療成像設(shè)備和高端音響的新系列無磁、無感軸向引線的繞線電阻---MRA系列，電阻的功率等級高達(dá)12W，可在+350℃高溫下工作?！　ishay?Mills?MRA系列器件來自Vishay?Dale電阻事業(yè)部，采用無感和全焊接結(jié)構(gòu)，適用于射頻和運(yùn)算放大器應(yīng)用，能夠大大增強(qiáng)頻率響應(yīng)。結(jié)合無感的Ayrton-Perry線圈，器件幾乎沒有感抗和信號損失。　　電阻在25℃下的功率等級
  • 關(guān)鍵字： Vishay  醫(yī)療電子  MRA  放大器  

Vishay推出對環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.日前宣布，發(fā)布用于DC-link應(yīng)用的新款環(huán)境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范圍、小尺寸占位，電壓等級從500V到1200V?！　{借單位體積的高容量和在+70℃、標(biāo)稱直流電壓下超過10萬小時的長壽命，經(jīng)濟(jì)實(shí)用的MKP1848C非常適合可再生能源逆變器、電機(jī)驅(qū)動和電源等工業(yè)電源應(yīng)用?！　C-link電容器的ESR低至1.5mΩ，每毫米引線間隔的自感小于1nH，可承受高
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Vishay新款精密薄膜片式電阻功率等級達(dá)2W

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功率等級提到2W。Vishay?Dale薄膜器件采用自鈍化的耐潮鉭氮化物電阻膜技術(shù)，具有高功率等級和低至±25ppm/℃的絕對TCR，在-55℃～+125℃寬溫條件下，經(jīng)過激光微調(diào)的公差低至±0.1%?！　TN電阻的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮水平超過MIL-PRF-55342的極限，使這款器件非常適合軍工、航天、電信和工業(yè)應(yīng)用的低噪聲、高精度控制系
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TCR  PTN  

Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強(qiáng)PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產(chǎn)品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅(qū)動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導(dǎo)通電阻，占位面積為2mm?x?2mm?！　?/li>
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiA936EDJ  

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅(qū)動器

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機(jī)驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應(yīng)用的新款I(lǐng)GBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運(yùn)轉(zhuǎn)的應(yīng)用及污染程度較重的環(huán)境。　　除了具有優(yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經(jīng)考驗(yàn)的光電子
  • 關(guān)鍵字： Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

Vishay發(fā)布高穩(wěn)定性薄膜片式電阻實(shí)驗(yàn)室樣品套件

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩(wěn)定性薄膜片式電阻的實(shí)驗(yàn)室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開發(fā)原型，加快電子系統(tǒng)的上市時間。　　今天發(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TNPW0402  E-96  薄膜技術(shù)  

Vishay發(fā)布新款高穩(wěn)定性薄膜片式電阻實(shí)驗(yàn)室樣品套件

  • 　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩(wěn)定性薄膜片式電阻的實(shí)驗(yàn)室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開發(fā)原型，加快電子系統(tǒng)的上市時間。　　今天發(fā)布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最常
  • 關(guān)鍵字： Vishay  TNPW0402  傳感器  RoHS  E-96  

Vishay推出開關(guān)頻率高達(dá)1.5MHz 的同步降壓穩(wěn)壓器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款可編程開關(guān)---Vishay Siliconix SiP12109，其頻率高達(dá)1.5MHz，輸入電壓4.5～15V的4A器件，擴(kuò)充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩(wěn)壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節(jié)省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內(nèi)集成了高邊和低邊功率MOSFET，為設(shè)計者提供了
  • 關(guān)鍵字： Vishay  SiP12109  microBUCK  CM-COT  DC/DC  

Vishay發(fā)布新款配對高速紅外發(fā)射器/光電二極管

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出兩款通過AEC-Q101認(rèn)證的配對高速940nm紅外發(fā)射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01，采用小尺寸3mm?x?2mm側(cè)視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm，VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm，是業(yè)內(nèi)高度最低的側(cè)視產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： Vishay  紅外  PIN  VSMB  AEC-Q101  

Vishay推出新款雙向電池開關(guān)

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新的具有轉(zhuǎn)換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開關(guān)--- SiP32101，可在便攜式電子設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備和儀器儀表中用來隔離低壓電池。在這些空間受限的應(yīng)用中，Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節(jié)省91%的PCB空間，在小尺寸12凸點(diǎn)WCSP封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻和超低靜態(tài)電流。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  SiP32101  雙向  

Vishay推出業(yè)內(nèi)首款75V模塑鉭電容器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，擴(kuò)充其TANTAMOUNT?低ESR TR3和標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)級293D系列固鉭表面貼裝片式電容器，使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的電壓提高到75V。來自于Vishay Sprague的該款器件是業(yè)內(nèi)首個75V模塑鉭電容器，是為滿足在+28V和+35V應(yīng)用中降額50%額定電壓而設(shè)計的。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  模塑鉭電容器  表面貼裝片式  

Vishay推出采用IHLP?制造的新款組合耦合電感器

  • 2014 年 2 月20 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用該公司IHLP? 技術(shù)制造，可用于SEPIC DC/DC轉(zhuǎn)換器和其他應(yīng)用的新系列組合耦合電感器。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電感器  LED  IHCL  
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