virginia diodes 文章 進(jìn)入virginia diodes技術(shù)社區(qū)
Diodes 推出適合LCD背光應(yīng)用的新型MOSFET 器件
- Diodes 公司進(jìn)一步擴(kuò)展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應(yīng)用的新型器件。新器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關(guān)功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動器架構(gòu)的要求。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節(jié)省更多的空間。對于需要一對互補(bǔ)器件的全橋和半橋拓?fù)?，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅(qū)動器
Diodes公司推出AP21x6雙USB電源開關(guān)系列
- Diodes公司擴(kuò)展其AP21x1/x2產(chǎn)品陣營，推出AP21x6雙USB電源開關(guān)系列。相比同類器件，該系列器件擁有更小的占位面積、更完善的開關(guān)導(dǎo)通電阻和更理想的功率耗散。這些集成高側(cè)電源的開關(guān)經(jīng)過了優(yōu)化，最適合自供電和總線供電的USB 應(yīng)用，以及其它熱插拔 (Hot-swap) 應(yīng)用。該系列器件滿足所有USB標(biāo)準(zhǔn)，并配有Enable輸入的兩極性選擇。AP21x6系列提供經(jīng)濟(jì)且小巧的實(shí)施架構(gòu)，為不同系統(tǒng)中的USB端口帶來全面的保護(hù)。 據(jù)Diodes全球營銷經(jīng)理許忠真指出，AP21x6系列無論在格
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Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件
- Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應(yīng)用。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時(shí)簡化柵極驅(qū)動電路設(shè)計(jì)。比方說，SO8充分發(fā)揮了
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Diodes推出新型MOSFET 半橋器件
- Diodes 公司推出四款半橋MOSFET 封裝，為空間受限的應(yīng)用減少了元件數(shù)量和PCB尺寸，極大地簡化了直流風(fēng)扇和 CCFL 逆變器電路設(shè)計(jì)。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出：“ZXMHC 元件為SO8封裝，包含兩對互補(bǔ)N型和P型MOSFET，可取代四個(gè)分立式SOT23封裝的MOSFET或兩個(gè)SO8 互補(bǔ)MOSFET 封裝。對于現(xiàn)有不同類型的電機(jī)或其它感性負(fù)載驅(qū)動裝置來說，這意味著可節(jié)省至少一半的PCB占板面積，同時(shí)大幅降低整體存貨成本?！? ZXM
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Diodes推出新型數(shù)模轉(zhuǎn)換器和前置放大器芯片
- Diodes推出新型8通道數(shù)模轉(zhuǎn)換器 (DAC) 和前置放大器 (Pre-amplifier) 芯片，幫助設(shè)計(jì)人員減少音視頻接收器和附加聲卡的組件成本，并改善音頻性能。 ZXCZM800芯片是Diodes公司旗下Zetex直接數(shù)字反饋放大器 (DDFA) 產(chǎn)品線中的一款，能將電路設(shè)計(jì)化繁為簡，在高性能差模下實(shí)現(xiàn)高達(dá)126db的動態(tài)范圍(DNR)。這個(gè)DAC解決方案的出色性能將成為使用DDFA芯片組創(chuàng)建的數(shù)字放大器的有益補(bǔ)充。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出，現(xiàn)有消費(fèi)和專業(yè)級
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Diodes推出新款微型電流監(jiān)視器ZXCT1023
- Diodes公司推出新款微型電流監(jiān)視器ZXCT1023，為便攜式應(yīng)用提供了全球體積最小的電池電流測量解決方案。新器件采用薄型4引腳、1.2 x 1.8mm DFN封裝，可支持系統(tǒng)管理功能，有效延長動態(tài)運(yùn)行時(shí)間。 ZXCT1023是一款精確的高壓側(cè)電流監(jiān)視器，固定增益為50，只需一個(gè)外部電流檢測電阻器便能準(zhǔn)確監(jiān)測電流。該器件的典型靜態(tài)電流消耗只有3.5μA，有助于減少電力消耗，延長電池壽命。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)指出，這款監(jiān)視器的工作電壓范圍較寬，為2.5V
- 關(guān)鍵字： Diodes 監(jiān)視器 電流測量
MOSFET封裝節(jié)省占板空間并提高充電器性能
- Diodes公司應(yīng)用的高熱效率、超小型DFN封裝的雙器件組合技術(shù),推出便攜式充電設(shè)備的開關(guān)。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)先生指出，DMS2220LFDB和 DMS2120LFWB把一個(gè)20V的P溝道增強(qiáng)模式MOSFET與一個(gè)配套二極管組合封裝，提供2mm x 2mm DFN2020及3mm x 2mm DFN3020兩種封裝以供選擇。DMP2160UFDB則把兩個(gè)相同的MOSFET組合封裝成DFN2020形式。 與傳統(tǒng)便攜式應(yīng)用設(shè)計(jì)中常用的體積較大的3mm x 3mm封裝相
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DFN封裝
Diodes推出高壓超勢壘整流器系列第一款器件
- Diodes公司推出高壓超勢壘整流器 (Super Barrier Rectifier，簡稱SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。該系列采用熱效率和緊湊的專有PowerDI5封裝，具有卓越的超低熱阻，使SBR10U200P5能以減少40%的占位面積，實(shí)現(xiàn)雙倍的功率密度。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示，SBR10U200P5是業(yè)界體積最小的引線式10A整流器，額定電壓高達(dá)200V，能夠在10A額定電流和125℃的結(jié)溫下提供業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低至0.7V的正向電壓降 (VF)。該
- 關(guān)鍵字： Diodes 整流器 電源適配器
Diodes新LED驅(qū)動器系列削減元件開銷
- Diodes公司推出全新LED驅(qū)動器集成電路（IC）系列AP880X，以顯著減少驅(qū)動電路所需的外部元件數(shù)目和尺寸。AP880X降壓式DC-DC轉(zhuǎn)換器只需4個(gè)元件支持，能在高達(dá)600kHz的開關(guān)頻率下工作，從而可以使用體積更小、成本更低的電感器和電容器。
- 關(guān)鍵字： Diodes IC LED驅(qū)動器
Diodes新LED驅(qū)動器系列削減元件開銷
- Diodes公司推出全新LED驅(qū)動器集成電路(IC)系列AP880X，以顯著減少驅(qū)動電路所需的外部元件數(shù)目和尺寸。AP880X降壓式DC-DC轉(zhuǎn)換器只需4個(gè)元件支持，能在高達(dá)600kHz的開關(guān)頻率下工作，從而可以使用體積更小、成本更低的電感器和電容器。
- 關(guān)鍵字： Diodes LED驅(qū)動器 AP8800
Diodes 推出全新OR'ing 控制器
- Diodes 公司推出有源OR'ing控制器芯片ZXGD3102，使共享式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員能以高效MOSFET取代散熱阻流二極管，從而在對正常運(yùn)行時(shí)間要求苛刻的電信、服務(wù)器及大型機(jī)應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)更低溫度的運(yùn)行、更少的維護(hù)和更可靠的操作。 Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場總監(jiān)梁后權(quán)表示，傳統(tǒng)上用于電源故障保護(hù)的肖特基阻流二極管的熱耗散很高，這與其很強(qiáng)的0. 5V 正向壓降有直接關(guān)系。如果用典型正向電壓低于100mV的導(dǎo)通電阻較低的MOSFET替代二極管，功耗將明顯減少。ZXGD3102正是為了控
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Diodes自保護(hù)式MOSFET節(jié)省85%的占板空間
- Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。 雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。 ZXMS
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET ZXMS6004FF
Diodes推出全球體積最小的自保護(hù)式MOSFET ZXMS6004FF
- Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。 雖然SOT23F的扁平封裝體積小巧，但其卓越的散熱性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同類較大封裝元件的封裝功率密度。這款最新IntelliFET的導(dǎo)通電阻僅為500m?，能夠使功耗保持在絕對極小值。 ZXMS600
- 關(guān)鍵字： ZXMS6004FF Diodes
Diodes推出新型功率MOSFET優(yōu)化低壓操作
- Diodes Incorporated全面擴(kuò)展旗下的功率MOSFET產(chǎn)品系列，加入能夠在各種消費(fèi)、通信、計(jì)算及工業(yè)應(yīng)用中發(fā)揮負(fù)載和切換功能的新型器件。新器件涵蓋Diodes和Zetex產(chǎn)品系列，包括27款30V邏輯電平、9款20V低閾值的N、P和采用不同工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的互補(bǔ)MOSFET。 這些新型功率MOSFET采用SOT323、SOT23、SOT26和SO8形式封裝，引腳和占位面積與現(xiàn)有器件兼容，性價(jià)比具有競爭優(yōu)勢，不僅能減少物料清單，還能在無需額外成本的情況下提升性能。新器件可用于DC/DC轉(zhuǎn)
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