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單相逆變器智能功率模塊應用電路設計

  • 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。 2 IPM的結構 IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅動器及保護電路構成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
  • 關鍵字： IPM  MOSFET  電源技術  模擬技術  模塊  

飛兆半導體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET

  • 為汽車電子設計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢 飛兆半導體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列， 推出11種面向電機控制應用的新型30/40V器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列，推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應用的效率、性能和線路板空間而設計，其應用包括動力轉向、集成啟動器/交流發(fā)電機，
  • 關鍵字： 30/40V  AEC-Q101  MOSFET  低壓  飛兆半導體  汽車電子  汽車電子  

降壓式DC/DC轉換器的MOSFET選擇

  • 同步整流降壓式DC/DC轉換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結構?？刂破魃a(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應用電路，但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同，要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示，它是由帶驅動MOSFET的控制器及外接開關管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前，Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET，因為它們能滿足DC/DC轉換器在輸入電壓、開關頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
  • 關鍵字： MOSFET  電源技術  模擬技術  

飛兆半導體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品

  • 飛兆半導體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應用中 節(jié)省空間并延長電池壽命 擴展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
  • 關鍵字： Fairchild  MicroFET™    MOSFET  單片機  飛兆  嵌入式系統(tǒng)  

Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ

  • 　Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件，可用于簡單的線性調節(jié)器，在起動階段為脈沖寬度調變(PWM)集成電路供應所需電壓，然后在轉換器完全激活后關掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案，這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 　　Zetex亞洲副總裁林博文指出，新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝，能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線
  • 關鍵字： MOSFET  Zetex  高電壓  電阻  電位器  

擴展升壓穩(wěn)壓器輸入、輸出電壓范圍的級聯(lián) MOSFET

能改進動圈表頭對小電流測量的MOSFET

  • 以前曾經(jīng)有一個設計實例介紹了用動圈模擬表頭測量小于 1A電流的十分有趣和有用的方法（參考文獻 1）。
  • 關鍵字： MOSFET  測量  電流  表頭  改進  

IR推出100V集成MOSFET解決方案

  • 為PoE應用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET  MOSFET集成在一個功率MLP封裝內，可滿足以太網(wǎng)供電（Power-over-Ethernet，簡稱PoE）應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡和通信基礎設施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準，例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節(jié)省了80%的空間，或相當于典型48端口電路板中3
  • 關鍵字： IR  MOSFET  解決方案  

MOSFET的開關速度將決定未來POL電源的性能

  • 　　一個采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能夠于高達2MHz/相位下工作，并提供120A電流，且滿足負載點電源的瞬態(tài)響應要求。 　　與十年之前以單元密度和導通電阻作為器件設計的主要考慮因素相比，功率MOSFET技術在發(fā)展方向上正經(jīng)歷著一場重大的變革。如今，并在可以預見的未來，開關速度正在逐步成為負載點（POL）電源應用的決定性因素。對于工作電壓為1V或以下且對時鐘速度和電流需求更高的下一代微處理器而言，開關速度是滿足其供電要求的關鍵因素。電源的性能將取決于功率MOSFET
  • 關鍵字： MOSFET  模擬IC  電源  

功率MOSFET并聯(lián)均流問題研究

  • 對頻率為MHz級情況下功率MOSFET并聯(lián)均流問題進行了研究，詳細分析了影響功率MOSFET并聯(lián)均流諸因素。通過Q軌跡把器件參數(shù)和外圍電路聯(lián)系起來，得出較大的Q值和適當?shù)腖s/Lx有利于并聯(lián)均流。大量的仿真和小功率實驗結果均表明該方法的正確性。
  • 關鍵字： 研究  問題  MOSFET  功率  

提高穩(wěn)壓器過流保護能力的 MOSFET

  • 經(jīng)典的 LM317型可調輸出線性穩(wěn)壓器具有相當大的電流承受能力。此外，LM317還具有限流和過熱保護功能。
  • 關鍵字： MOSFET  能力  保護  穩(wěn)壓器  提高  

起直流穩(wěn)壓(流)電子負載核心作用的功率 MOSFET

  • 設計人員都用直流電子負載來測試電源，如太陽能陣列或電池，但商用直流電子負載很昂貴。你只要將功率 MOSFET在其線性區(qū)內使用，就可制作出自己的直流電子負載（圖 1）。
  • 關鍵字： 作用  功率  MOSFET  核心  負載  穩(wěn)壓  電子  直流  

2005年4月21日，瑞薩推出業(yè)界最小、最薄的高頻功率MOSFET

  • 　　2005年4月21日，瑞薩宣布推出包括5 W輸出RQA0002在內的三種高頻功率MOSFET，用于手持式無線電設備及類似設備中的傳輸功率放大，通過使用新工藝和新封裝，實現(xiàn)了高效率、并大大減小了封裝的尺寸。
  • 關鍵字： 瑞薩  MOSFET  Renesas  

新型IGBT/MOSFET驅動模塊SKHI22A/B

一種專為IGBT和MOSFET設計的驅動器

  • 介紹了一種專為IGBT和功率MOSFET設計的電力電子驅動器件――SCALE集成驅動器的性能特點和內部結構 。
  • 關鍵字： 驅動器  設計  MOSFET  IGBT  專為  
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