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意法半導體推出離線轉(zhuǎn)換器 提高5-30V電源的雪崩耐量、能效和靈活性

- 意法半導體的VIPer11離線轉(zhuǎn)換器內(nèi)置800V耐雪崩MOSFET,可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器,其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓,并提高諸多消費和工業(yè)電源的靈活性?! ∵壿嫾壴匨OSFET讓VIPer11能夠在4.5V至30V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作,可用于設計高效的5V輸出開關(guān)電源。結(jié)合內(nèi)部高壓啟動、誤差放大器和降低EMI干擾的抖動振蕩器等功能,這種優(yōu)勢可簡化設計,節(jié)省空間和物料清單成本?! IPer11高壓轉(zhuǎn)換器可實現(xiàn)由整流的AC線或其它直流電源直接供電的反激
- 關(guān)鍵字: 意法半導體,MOSFET
工業(yè)設備輔助電源驅(qū)動用的SiC電源解決方案

- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng),需要柵極驅(qū)動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。 小型輔助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下,MOSFET的最高耐壓
- 關(guān)鍵字: SiC,MOSFET
計算MOSFET非線性電容

- 最初為高壓器件開發(fā)的超級結(jié)MOSFET,電荷平衡現(xiàn)在正向低壓器件擴展。雖然這極大地降低了RDS(ON) 和結(jié)電容,但電荷平衡使后者非線性進一步加大。MOSFET有效儲存電荷和能量減少,而且顯著減少,但計算或比較不同MOSFET參數(shù)以獲得最佳性能變得更加復雜。 MOSFET三個相關(guān)電容不能作為VDS的函數(shù)直接測量,其中有的需要在這個過程中短接或懸空。數(shù)據(jù)手冊最終測量給出的三個值定義如下: CiSS = CGS + CGD COSS = CDS + CDG CRSS = CGD 三者中,輸入電容CG
- 關(guān)鍵字: MOSFET 非線性電容
電源設計經(jīng)驗之MOS管驅(qū)動電路篇

- MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路?! ≡谑褂肕OSFET設計開關(guān)電源時,大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素,這樣的電路也許可以正常工作,但并不是一個好的設計方案。更細致的,MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET,其驅(qū)動電路,驅(qū)動腳輸出的峰值電流,上升速率等,都會影響MOSFET的
- 關(guān)鍵字: MOSFET 電源IC
Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

- 全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET,為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系,旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應用電力電子
- 關(guān)鍵字: Littelfuse MOSFET
高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負載點應用中提高功率吞吐量的障礙

- 當前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度,這為非隔離負載點穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率,設計人員選擇避免多級轉(zhuǎn)換,以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓,提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外,niPOL還需要在保持最高效率的同時,繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升,niPOL的功率需求會進一步提高?! ‰娫葱袠I(yè)通過對niPOL進行多項技術(shù)升級來應對這一挑戰(zhàn)。過去幾年,行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導體集成和M
- 關(guān)鍵字: ZVS MOSFET
通過電源模塊提高電動工具設計的性能

- 電動工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機驅(qū)動。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機。BLDC電機效率更高、維護少、噪音小、使用壽命更長?! ◎?qū)動電機功率級的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護可靠、峰值電流承載能力強。小尺寸可實現(xiàn)工具內(nèi)的功率級的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設計。高效率可提供最長的電池壽命并減少冷卻工作??煽康牟僮骱捅Wo可延長使用壽命,有助于提高產(chǎn)品聲譽?! 樵趦蓚€方向上驅(qū)動BDC電機,您
- 關(guān)鍵字: BLDC MOSFET
汽車電源的監(jiān)視和開關(guān)

- 引言 在如今的汽車中,為了提高舒適度和行車體驗而設計了座椅加熱、空調(diào)、導航、信息娛樂、行車安全等系統(tǒng),從這些系統(tǒng)很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統(tǒng)的好處?,F(xiàn)在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象,那時,在汽油動力汽車中,一個電子組件都沒有。在世紀交替時期的汽車開始有了手搖曲柄,前燈開始用乙炔氣照明,也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點,最大限度減少了機械系統(tǒng)的采用,正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
- 關(guān)鍵字: 電源 MOSFET
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導消費類市場
- MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度,等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后,將8寸的產(chǎn)能騰出來,才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放,如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能,漲價仍會持續(xù),只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn),預計2018年6月可正式投產(chǎn),擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍,每月達2億只左右。”陳金松說。 MOSFET作為應用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
- 關(guān)鍵字: MOSFET DFN
缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導消費類市場
- MOSFET漲價何時能得到緩解?深圳市拓鋒半導體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個季度,等國內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后,將8寸的產(chǎn)能騰出來,才有可能緩解。同時要看封測廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放,如果封測廠商難以消化這么大的產(chǎn)能,漲價仍會持續(xù),只是幅度不會像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴產(chǎn),預計2018年6月可正式投產(chǎn),擴產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍,每月達2億只左右。”陳金松說。 MOSFET作為應用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
- 關(guān)鍵字: MOSFET 晶圓
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