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美光：3D TLC最快今年底實(shí)現(xiàn)
- 對(duì)于消費(fèi)市場(chǎng)來(lái)說(shuō)，成本永遠(yuǎn)都是令購(gòu)買者最在意的一件事。日漸普及的SSD，當(dāng)然也必須面對(duì)這樣的市場(chǎng)聲浪。TCL NAND目前已經(jīng)是SSD降低成本的重要關(guān)鍵，當(dāng)然，如何能讓TLC架構(gòu)在維持低成本的同時(shí)，還能兼具效能與穩(wěn)定性，也成為了相關(guān)廠商正積極競(jìng)逐的目標(biāo)。 美光科技(Micron)儲(chǔ)存事業(yè)部行銷總監(jiān)Kevin Kilbuck指出，因應(yīng)消費(fèi)市場(chǎng)的需求，美光也針對(duì)高性能、高可靠性，且極注重成本的消費(fèi)性應(yīng)用，提供了量身訂制的解決方案。全新的快閃記憶體產(chǎn)品，是采用16nm制程技術(shù)的TLC NAND，能讓U
- 關(guān)鍵字： 美光 TLC
Marvell：控制器三大優(yōu)勢(shì) 讓TLC架構(gòu)逼近MLC效能
- 傳統(tǒng)的HDD機(jī)械式硬碟，由于機(jī)械式結(jié)構(gòu)的復(fù)雜結(jié)構(gòu)造成整體的不穩(wěn)定性，加上讀寫速度始終存在著瓶頸，這些原因使得SSD逐漸有機(jī)會(huì)加速淘汰傳統(tǒng)HDD硬碟，在更多領(lǐng)域發(fā)揮快速讀寫、穩(wěn)定存取的優(yōu)勢(shì)。 Marvell的DRAMless架構(gòu)，讓SSD可以達(dá)到更小巧的體積。圖中正是128GB的SSD。 Marvell SSD事業(yè)群副總裁David Chen指出，比起SSD，傳統(tǒng)硬碟唯一的優(yōu)勢(shì)，只在于容量。然而一旦針對(duì)穩(wěn)定性與速度的話，傳統(tǒng)硬碟一點(diǎn)勝算都沒有。而目前隨著新一代的T
- 關(guān)鍵字： Marvell TLC
SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘
- 現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，Intel的技術(shù)人員在會(huì)議上具體揭示了Intel 3D NAND的計(jì)劃以及一些技術(shù)上的細(xì)節(jié)。 這場(chǎng)會(huì)議在深圳JW萬(wàn)豪酒店舉行，參與會(huì)議的有相當(dāng)多的業(yè)內(nèi)朋友。來(lái)自Intel美國(guó)的產(chǎn)品工程經(jīng)理Todd Myers，NAND產(chǎn)品交易開發(fā)工程師Tod
- 關(guān)鍵字： SSD TLC
TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲(chǔ)存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲(chǔ)存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。 DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于成本較具優(yōu)勢(shì)，過(guò)去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
- 關(guān)鍵字： TLC NAND
性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更明顯 TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯(cuò)誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲(chǔ)存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過(guò)去大幅提高，因而激勵(lì)消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。 三層式儲(chǔ)存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長(zhǎng)。 在單層式儲(chǔ)存(SLC)、多層式儲(chǔ)存(MLC)及TLC三種形式的NAND
- 關(guān)鍵字： 三星 TLC NAND
TLC存儲(chǔ)器取得儲(chǔ)存市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)能
- 三級(jí)單元(triple-level cell;TLC)快閃記憶體在進(jìn)入客戶端市場(chǎng)兩年后，預(yù)計(jì)將進(jìn)一步在資料中心獲得動(dòng)能。但長(zhǎng)期來(lái)看，由于 3D NAND 逐漸取代，傳統(tǒng)的 NAND 記憶體成長(zhǎng)開始趨緩。 截至目前為止，TLC主要用于 USB 驅(qū)動(dòng)器、快閃記憶卡、低成本智慧型手機(jī)與客戶端固態(tài)固碟(SSD);不過(guò)，市調(diào)公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出，市場(chǎng)上目前已經(jīng)看到 iPhone 6 開始采用了，預(yù)計(jì)它將在2015-2016年進(jìn)一步滲透到高階智慧型手機(jī)與
- 關(guān)鍵字： TLC 存儲(chǔ)器 Gartner
NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國(guó)際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字： NAND MLC TLC
SSD價(jià)格快速下滑 普及化只剩時(shí)間問題
- 固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動(dòng)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來(lái)臨。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場(chǎng)，價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 南韓業(yè)界認(rèn)為，目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。 南韓Woor
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD TLC
蘋果停用TLC閃存 回應(yīng)iPhone 6宕機(jī)
- 11月9日，隨著關(guān)于iPhone6+功能缺陷的爭(zhēng)論高漲，蘋果已決定停止使用TLC NAND閃存技術(shù)。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士11月6日透露，蘋果已經(jīng)決定停用TLC NAND閃存技術(shù)。蘋果認(rèn)為，困擾64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷緣于TLC NAND閃存控制芯片中的一個(gè)問題。這種控制芯片據(jù)稱是由SSD制造商Anobit制造的，該公司在2011年被蘋果收購(gòu)。 TLC NAND閃存是固態(tài)NAND快閃存儲(chǔ)器的一種。它的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量是SLC存儲(chǔ)器的三倍，是MLC存儲(chǔ)器的1.5倍。最重要的
- 關(guān)鍵字： 蘋果 iPhone 6 TLC
探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問題。 遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度，只能猜測(cè)編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無(wú)從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 不過(guò)還是有個(gè)變通方法
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 TLC NAND
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