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美光:3D TLC最快今年底實(shí)現(xiàn)

  •   對(duì)于消費(fèi)市場(chǎng)來(lái)說(shuō),成本永遠(yuǎn)都是令購(gòu)買者最在意的一件事。日漸普及的SSD,當(dāng)然也必須面對(duì)這樣的市場(chǎng)聲浪。TCL NAND目前已經(jīng)是SSD降低成本的重要關(guān)鍵,當(dāng)然,如何能讓TLC架構(gòu)在維持低成本的同時(shí),還能兼具效能與穩(wěn)定性,也成為了相關(guān)廠商正積極競(jìng)逐的目標(biāo)。   美光科技(Micron)儲(chǔ)存事業(yè)部行銷總監(jiān)Kevin Kilbuck指出,因應(yīng)消費(fèi)市場(chǎng)的需求,美光也針對(duì)高性能、高可靠性,且極注重成本的消費(fèi)性應(yīng)用,提供了量身訂制的解決方案。全新的快閃記憶體產(chǎn)品,是采用16nm制程技術(shù)的TLC NAND,能讓U
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Marvell:控制器三大優(yōu)勢(shì) 讓TLC架構(gòu)逼近MLC效能

  •   傳統(tǒng)的HDD機(jī)械式硬碟,由于機(jī)械式結(jié)構(gòu)的復(fù)雜結(jié)構(gòu)造成整體的不穩(wěn)定性,加上讀寫速度始終存在著瓶頸,這些原因使得SSD逐漸有機(jī)會(huì)加速淘汰傳統(tǒng)HDD硬碟,在更多領(lǐng)域發(fā)揮快速讀寫、穩(wěn)定存取的優(yōu)勢(shì)。        Marvell的DRAMless架構(gòu),讓SSD可以達(dá)到更小巧的體積。圖中正是128GB的SSD。   Marvell SSD事業(yè)群副總裁David Chen指出,比起SSD,傳統(tǒng)硬碟唯一的優(yōu)勢(shì),只在于容量。然而一旦針對(duì)穩(wěn)定性與速度的話,傳統(tǒng)硬碟一點(diǎn)勝算都沒有。而目前隨著新一代的T
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SSD容量突破關(guān)鍵:3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

  •   現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展,我們之前也報(bào)道過(guò)Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日,Intel & Richmax舉辦了一場(chǎng)技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop,Intel的技術(shù)人員在會(huì)議上具體揭示了Intel 3D NAND的計(jì)劃以及一些技術(shù)上的細(xì)節(jié)。        這場(chǎng)會(huì)議在深圳JW萬(wàn)豪酒店舉行,參與會(huì)議的有相當(dāng)多的業(yè)內(nèi)朋友。來(lái)自Intel美國(guó)的產(chǎn)品工程經(jīng)理Todd Myers,NAND產(chǎn)品交易開發(fā)工程師Tod
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成

  •   TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示,隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲(chǔ)存裝置移動(dòng),加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲(chǔ)存解決方案,預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升,將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。   DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,由于成本較具優(yōu)勢(shì),過(guò)去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更明顯 TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張

  •   三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破,加上控制晶片與錯(cuò)誤修正韌體效能大幅精進(jìn),使得三層式儲(chǔ)存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過(guò)去大幅提高,因而激勵(lì)消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。   三層式儲(chǔ)存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑,各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長(zhǎng)。   在單層式儲(chǔ)存(SLC)、多層式儲(chǔ)存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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TLC存儲(chǔ)器取得儲(chǔ)存市場(chǎng)成長(zhǎng)動(dòng)能

  •   三級(jí)單元(triple-level cell;TLC)快閃記憶體在進(jìn)入客戶端市場(chǎng)兩年后,預(yù)計(jì)將進(jìn)一步在資料中心獲得動(dòng)能。但長(zhǎng)期來(lái)看,由于 3D NAND 逐漸取代,傳統(tǒng)的 NAND 記憶體成長(zhǎng)開始趨緩。   截至目前為止,TLC主要用于 USB 驅(qū)動(dòng)器、快閃記憶卡、低成本智慧型手機(jī)與客戶端固態(tài)固碟(SSD);不過(guò),市調(diào)公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出,市場(chǎng)上目前已經(jīng)看到 iPhone 6 開始采用了,預(yù)計(jì)它將在2015-2016年進(jìn)一步滲透到高階智慧型手機(jī)與
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放

  •   由于閃存技術(shù)的發(fā)展,閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升,但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu),閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意,并且隨著工藝水平的提升,其壽命和良率還有越來(lái)越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平,存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。   日前,鎂光在IEEE IEDM 2014(國(guó)際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
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SSD價(jià)格快速下滑 普及化只剩時(shí)間問題

  •   固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑,3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散,帶動(dòng)儲(chǔ)存容量擴(kuò)大,并加速SSD大眾化時(shí)代的來(lái)臨。   據(jù)ET News報(bào)導(dǎo),SSD將形成半導(dǎo)體新市場(chǎng),價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出,256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元,與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。   南韓業(yè)界認(rèn)為,目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD,在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。   南韓Woor
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蘋果停用TLC閃存 回應(yīng)iPhone 6宕機(jī)

  •   11月9日,隨著關(guān)于iPhone6+功能缺陷的爭(zhēng)論高漲,蘋果已決定停止使用TLC NAND閃存技術(shù)。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士11月6日透露,蘋果已經(jīng)決定停用TLC NAND閃存技術(shù)。蘋果認(rèn)為,困擾64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷緣于TLC NAND閃存控制芯片中的一個(gè)問題。這種控制芯片據(jù)稱是由SSD制造商Anobit制造的,該公司在2011年被蘋果收購(gòu)。   TLC NAND閃存是固態(tài)NAND快閃存儲(chǔ)器的一種。它的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量是SLC存儲(chǔ)器的三倍,是MLC存儲(chǔ)器的1.5倍。最重要的
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探索TLC閃存壽命:區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

  •   三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個(gè)新時(shí)代,TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù),以及三星840的性能、可靠性,我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹,今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問題。   遺憾的是,沒有任何廠商公開談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度,只能猜測(cè)編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次),而且三星不像Intel那樣會(huì)告訴你具體的閃存寫入量,再加上寫入放大的緣故,根本無(wú)從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。   不過(guò)還是有個(gè)變通方法
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基于CMOS工藝的高阻抗并行A/D芯片TLC5510

  • 1 概述TLC5510是美國(guó)TI公司生產(chǎn)的新型模數(shù)轉(zhuǎn)換器件(ADC),它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片,能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結(jié)構(gòu)及CMOS工藝,因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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具有高阻抗并行接口和內(nèi)部基準(zhǔn)電阻的TLC5510解析方

  • 1 TLC5510簡(jiǎn)介TLC5510是美國(guó)德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器,采用CMOS工藝,大大減少比較器數(shù)。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率,可廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字TV、醫(yī)學(xué)圖像、視頻會(huì)議以及QAM解調(diào)器等
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英特爾與鎂光開始出樣25nm TLC閃存

  •   英特爾今天宣布和鎂光一起發(fā)布25nm TLC閃存的第一款樣品,TLC(Trinary-Level Cell;TLC),即3bit/cell,也就是1個(gè)內(nèi)存儲(chǔ)存單元可存放3位元。TLC速度慢,壽命短,但成本低,價(jià)格也較便宜,有2000-5000次擦寫壽命,非常適合U盤、SD卡和消費(fèi)電子產(chǎn)品。新發(fā)布的芯片擁有8GB容量,芯片面積131平方毫米,比25納米制程MLC還小20%,以下是圖像:
  • 關(guān)鍵字: 英特爾  25nm  TLC  

帶串行控制的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器TLC1549在8051系統(tǒng)中的

  • TLC1549是美國(guó)德州儀器公司生產(chǎn)的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它采用CMOS工藝,具有內(nèi)在的采樣和保持,采用差分基準(zhǔn)電壓高阻輸入,抗干擾,可按比例量程校準(zhǔn)轉(zhuǎn)換范圍,總不可調(diào)整誤差達(dá)到±1LSB Max(4.8mV)等特點(diǎn)。
  • 關(guān)鍵字: 1549  8051  TLC  串行控制    

20位Σ-Δ立體聲ADA電路TLC320AD75C的接口電路設(shè)計(jì)

  • 介紹了Σ-Δ型ADC和DAC的特點(diǎn)及構(gòu)成,并詳細(xì)論述了Σ-Δ型立體聲ADA電路TLC320AD75C的模擬與數(shù)字音頻數(shù)據(jù)接口技術(shù)、DAC的串行控制接口技術(shù)及該類器件的使用注意事項(xiàng)。
  • 關(guān)鍵字: ADA  320  75C  TLC    
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