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Transphorm推出SuperGaN FET低成本驅動器方案
- 加利福尼亞州戈萊塔 – 2023 年 6 月 15 日 –新世代電力系統(tǒng)的未來, 氮化鎵(GaN)功率轉換產品的全球領先供應商Transphorm, Inc.(Nasdaq: TGAN)發(fā)布了一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案面向中低功率的應用,適用于LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電竟電腦,加強了公司在這個30億美元電力市場客戶的價值主張。 不同于同類競爭的 e-mode GaN 解決方案需要采用定制驅動器或柵極保護器件的電平移位電路,Transphorm 的 SuperG
- 關鍵字: Transphorm SuperGaN FET 驅動器
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動器參考設計

- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186,這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯(lián)的EPC2302,可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
- 關鍵字: EPC GaN FET ARMS 電機驅動器
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

- 奈梅亨,2023年5月10日:基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關鍵字: Nexperia E-mode GAN FET
柵極長度縮放超出硅的 FET 對短溝道效應具有魯棒性

- 當今行業(yè)中發(fā)現(xiàn)的大多數(shù) FET 都是由硅制成的,因為它具有出色且可重現(xiàn)的電子特性。根據(jù)摩爾定律,硅受到薄通道厚度下遷移率下降的困擾,這為高度縮放的設備保持強靜電。過渡金屬二硫化物 (TMD) 等二維溝道材料可用于 FET 以解決此問題。由于2D 材料具有二維表面,因此它們具有更好的遷移率水平,包括在 0.7 A 下實現(xiàn)激進的溝道長度縮放。自從在現(xiàn)代電子產品中引入場效應晶體管 (FET) 以來,理論和應用電路技術已經(jīng)取得了多項改進。FET 是低頻和中頻的低噪聲放大器以及高輸入阻抗放大器、電荷敏感放
- 關鍵字: 柵極 FET
連接與電源:新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

- 3月下旬,全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動,Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領域的最新進展。Matter出世,化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實,但要將數(shù)以百億計的設備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘,Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者,Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
- 關鍵字: Qorvo Matter SiC FET UWB
貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

- 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo?收購)UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET),借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率,同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
- 關鍵字: 貿澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET
UnitedSiC(現(xiàn)已被 Qorvo收購)為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合

- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案,Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝,為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下,第四
- 關鍵字: UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
UnitedSiC(現(xiàn)為 Qorvo)針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產品組合

- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET,借助此封裝選項,Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電(快速 DC 和工業(yè))以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制,能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on),其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關鍵字: UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
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