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MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局？三星已開始大量生產(chǎn)

  • 　　據(jù)報(bào)道，三星已開始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)?！　∪?月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。　　這種解決方案無需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

  • 　　在第 64 屆國際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)?！　RAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))，是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從 1990 年代開始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入?！　∮⑻貭栐硎酒淝度胧?MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
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聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品

  • 　　聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司?！　÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應(yīng)用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費(fèi)型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場(chǎng)的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
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嵌入式存儲(chǔ)器的過去與現(xiàn)在

  • 近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年
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使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能

  • 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展?！　?yīng)用材料公司為實(shí)現(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，包括基于Endura? 平臺(tái)上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設(shè)施來加工并測(cè)試器件陣列，我們驗(yàn)證了 STT MRAM 的性能和可擴(kuò)展性?！　∪缃?，除了邏
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新式儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)能加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛嗎？

  • 　　MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲(chǔ)器專有技術(shù)，據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時(shí)降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲(chǔ)存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場(chǎng)扮演什么角色?它能成為加速M(fèi)RAM市場(chǎng)起飛的重要推手嗎?　　磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術(shù)，據(jù)稱能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
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如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲(chǔ)器

  • 　　汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途?！　∧壳笆袌?chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)，MRAM
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基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測(cè)試技術(shù)研究

  • 　　摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲(chǔ)器(MRAM)，可利用其對(duì)大容量數(shù)據(jù)進(jìn)行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細(xì)闡述了基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫數(shù)據(jù)1，以棋盤格方式進(jìn)行全空間讀寫測(cè)試。另外，針對(duì)MRAM的關(guān)鍵時(shí)序參數(shù)，如T
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全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

  • 　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 　　據(jù)SemiEngineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NORFlash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹梗挥蠩verspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(WriteCa
  • 關(guān)鍵字： MRAM  晶圓  

迎接嵌入式存儲(chǔ)器轉(zhuǎn)型 全球晶圓代工大廠投入MRAM研發(fā)

  • 　　全球主要晶圓代工廠計(jì)劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)作為嵌入式儲(chǔ)存解決方案，可望改變下一代儲(chǔ)存技術(shù)的游戲規(guī)則。 　　據(jù)Semi Engineering網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺(tái)積電(TSMC)和聯(lián)電(UMC)計(jì)劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM，取代NOR Flash，此舉代表市場(chǎng)的巨大轉(zhuǎn)變，因?yàn)榈侥壳盀橹梗挥蠩verspin已經(jīng)為各種應(yīng)用提供MRAM，例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  MRAM  

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  • 　　隨著更多業(yè)者進(jìn)入MRAM市場(chǎng)，STT執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman在日前受訪時(shí)談到了MRAM帶來的商機(jī)及其可能取代現(xiàn)有主流存儲(chǔ)器技術(shù)的未來前景。 　　或許有人會(huì)把2016年形容為磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)市場(chǎng)的引爆點(diǎn)。而在那之前，Everspin Technologies是唯一一家出貨商用MRAM產(chǎn)品的公司。不過，就像Spin Transfer Technologies(STT)執(zhí)行長(zhǎng)Barry Hoberman一如既往地表達(dá)肯定之意：Everspin的成就有助于其他的MRAM業(yè)者鋪路。
  • 關(guān)鍵字： MRAM  DRAM  

DIGITIMES：MRAM的進(jìn)展與研發(fā)方向

  • 　　MRAM是新興的存儲(chǔ)器，為晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲(chǔ)器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)主軸之一。 　　MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機(jī)器設(shè)備廠商也出力甚多，這是幾家大機(jī)器設(shè)備廠商先后投入這即將興起設(shè)備市場(chǎng)良性競(jìng)爭(zhēng)的結(jié)果。MRAM相關(guān)制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設(shè)備，最近新機(jī)型的濺鍍?cè)O(shè)備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
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臺(tái)積電重返內(nèi)存市場(chǎng) 瞄準(zhǔn)MRAM和RRAM

  • 　　晶圓代工大廠臺(tái)積電和三星的競(jìng)爭(zhēng)，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場(chǎng)。臺(tái)積電這次重返內(nèi)存市場(chǎng)，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。 　　臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成日前在臺(tái)積電技術(shù)論壇，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺(tái)積電因應(yīng)物聯(lián)網(wǎng)、行動(dòng)裝置、高速運(yùn)算計(jì)算機(jī)和智能汽車等四領(lǐng)域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。
  • 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電  MRAM  

新一代STT-MRAM容量達(dá)Gb水準(zhǔn)

  • 　　被視為次世代存儲(chǔ)器技術(shù)之一的自旋力矩傳輸存儲(chǔ)器(STT-MRAM)，在2016年12月舉辦的國際電子零組件會(huì)議(International Electron Devices Meeting;IEDM)中公開了若干突破性研究成果，最值得注意的是推出了容量超過1Gb的產(chǎn)品，以及將STT-MRAM嵌入CMOS邏輯芯片的技術(shù)實(shí)證。 　　MRAM算是次世代非揮發(fā)性存儲(chǔ)器科技中出現(xiàn)較早的一種，其記憶單元以磁隧結(jié)(MTJ)組成，由于占用體積大與耗電量高，最大容量約16Mb，僅適用于若干特殊需求;MTJ水平排列的i
  • 關(guān)鍵字： 三星  MRAM  

IEDM：28nm嵌入式MRAM即將問世

  • 　　在今年即將于美國加州舉行的國際電子元件會(huì)議(IEDM)上，來自三星(Samsung)、東芝(Toshiba)、海力士(SK Hynix)等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取記憶體(MRAM)的最新發(fā)展。 　　此外，三星的研發(fā)團(tuán)隊(duì)以及旗下LSI業(yè)務(wù)部門顯然也將再次發(fā)表其致力于開發(fā)MEMS的最新成果。 　　三星將分別透過口頭簡(jiǎn)報(bào)以及海報(bào)展示雙管齊下的方式，介紹在28nm CMOS邏輯制造制程中嵌入8Mbit自旋傳輸(STT) MRAM等主題。在該公司發(fā)表的論文主題中，研究人員們將這種電路形
  • 關(guān)鍵字： 28nm  MRAM  
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